掺钪AlN材料特性及HBAR器件性能研究

该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e₃₃增加、刚度 下降,导致Al₁-_xSc_xN压电薄膜的机电耦合系数 从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数 提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al₁-_xSc_xN(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。     

基于杂质分凝技术的隧穿场效应晶体管电流镜

在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为比较,分别基于两种器件构成基本电流镜电路,研究两种器件的基本性能和电路电流传输能力.两种器件均采用杂质分凝技术制备,在源漏与沟道的界面形成了陡峭的杂质分布,TFET也因此具备陡峭的隧穿结.两种器件的载流子输运机制不同,因此温度对电流的影响也不同,此外,不同于MOSFET的单极导通行为,TFET由于源漏两端均为重掺杂,表现为强烈的双极导通行为.测试发现,由TFET构成的电流镜电路的电流传输比高达97％,高于一般的TFET电流镜和实验中用于对比的MOSFET电流镜,且TFET电流镜的输出阻抗较高,约1 MΩ.这为TFET的研发与简单应用提供了参考.     

基于可信度模糊费用多设施选址模型和算法

设施选址在整个物流网络中是一个十分重要的决策问题，它决定了整个物流系统的模式，结构和形状。设施选址方法尤其是多设施选址方法的研究已经成为一个备受人们关注的研究领域。本文首先介绍了设施选址的重要性，然后在模糊环境中根据不同的决策标准，建立了三种不同类型的模型，并设计了一个遗传算法来解决其中一个模型。最后给出了一个数值例子。     

模糊反向物流网络设计模型的一种改进遗传算法

反向物流是物流研究中的一个重要分支,其相关问题是目前研究的热点问题。该研究在模糊环境中根据不同的决策标准,建立了关于反向物流问题中的回收问题的三种不同类型的模型:期望值模型,机会约束模型和相关机会模型,并设计了一个模糊模拟和遗传算法相结合的混合智能算法来解决提出的模型,最后给出了一个数值例子,结果证明了将此混合智能算法用于求解模糊反向物流网络设计模型问题的有效性。