制作红外探测器的新三元合金材料的进展

本文对近年来国际上研究较多的新三元红外探测器合金材料的性能及研究进展作了简要论述,特别注重了与碲镉汞材料的对比,同时讨论了用作各种外延的优质衬底材料CdZnTe晶体的现有水平。认为对于新三元窄禁带半导体HgMnTe及HgZnTe,国内应尽早进行技术跟踪研究,8～14μm光谱范围探测器材料的研究重点仍应继续放在HgCdTe材料上。对于优质外延衬底材料CdZnTe的研究,应在现有基础上继续深入下去。     

（论坛）采用ALD方法制备TiO2/Al2O3布拉格反射镜并配合金属反射镜来增强背镀结构的反射效率

文中首次采用原子层沉积法制备TiO2/Al2O3布拉格反射镜并配合金属反射镜来制备了高反射率的背反射镜。制备的多层布拉格反射镜加Al镜和多层布拉格反射镜加Ag镜有很好的平整度和厚度的精确性,并且反射率高于96%。此外,TiO2/Al2O3布拉格反射镜和Al与蓝宝石衬底都有良好的粘合性,这样可以节省制备步骤并且可以得到高质量的背反射镜。利用原子层沉积技术和TiO2/Al2O3布拉格反射镜,我们得到了高反射率,角度依赖性小,更加稳定以及均一性更好的背反射镜,可以满足高亮度LED的需求。     

InGaAs可见/短波红外焦平面探测器新进展

In_1-xGa_xAs是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,其光谱响应截止波长可随合金组分x值的不同在0.87 μm (GaAs)~3.5 μm (InAs)范围内变化。 InGaAs材料在光通讯领域的广泛应用和可在常温下工作的特点,使其成为焦平面成像领域的研究热点。国际市场已有商业化产品,主要应用于民用、军用、航空、空间遥感等领域。在介绍In_1-xGa_xAs短波红外焦平面探测器的主要特性及研制进展的基础上,重点介绍了国际上在InGaAs光谱响应范围向可见光扩展的研究动向。     

采用ALD方法制备TiO2/Al2O3布拉格反射镜并配合金属反射镜来增强背镀结构的反射效率（英文）

首次采用原子层沉积法制备TiO2/Al2O3布拉格反射镜并配合金属反射镜来制备了高反射率的背反射镜。制备的多层布拉格反射镜加Al镜和多层布拉格反射镜加Ag镜有很好的平整度和厚度的精确性,并且反射率高于96%。此外,TiO2/Al2O3布拉格反射镜和Al与蓝宝石衬底都有良好的粘合性,这样可以节省制备步骤并且可以得到高质量的背反射镜。利用原子层沉积技术和TiO2/Al2O3布拉格反射镜,我们得到了高反射率,角度依赖性小,更加稳定以及均一性更好的背反射镜,可以满足高亮度LED的需求。     

MCT薄膜增压LPE生长实验

由于汞压难于控制,碲镉汞液相外延中汞压的控制被认为是该工艺成败的关键之一。用充H_2和附加HgTe控制汞源形成所谓增压液相外延,能够有效地解决汞压控制问题。对此,本文从理论上作以定性的初步探讨,并且用该方法在(111)CdZnTe单晶衬底上外延生长出组分x=0.18的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶膜。     

开管汽相和液相外延结合生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜

本文阐述了开管汽相外延(VPE)和液相外延(LPE)相结合生长 Hg_(1-x)Cd_xTe 外延膜的一种新方法。用该方法获得的优质外延膜,提高了晶貌质量,减少了失配位错,在衬底界面处得到一个具有很低表面复合速率的反射边界。用这种材料分别制得了工作在77K 及193K 下,截止波长为6.2μm 和5.3μm 的高性能光电二极管。用 VPE 和 LPE 的联合生长法在 CdTe 晶体获得的外延膜,在某些方面优于 LPE方法在 CdZnTe 替换衬底上生长的外延膜。