引信电源性能测量电路设计

介绍了一种存储测试系统,该系统可以对处于高冲击和高速旋转恶劣环境中的引信电源的一些重要参数进行测量。电路采用单片机和CPLD联合控制的方法,充分利用了CPLD的高速和MCU控制灵活的特点,实现了数据采集和Flash存储器的读、写、擦除操作,以及与上位机通信的控制,从而实现微体积、微功耗、大容量的存储测试系统设计。分析了在闪存中构造负延迟存储空间的方法,以及AD校准的方法。整个系统经过实测在恶劣的环境中能够稳定的工作,达到了设计的目的,系统同样可以用于测试一般的化学电池。     

P波段3kW GaN功率器件的研制

介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路。基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了器件的总栅宽。根据GaN HEMT芯片阻抗,器件内部进行了LC谐振匹配设计,外部采用双边平衡同轴巴伦进行推挽匹配设计。散热方面通过改善封装管壳热沉材料提高热导率。最终成功研制出高压、3 kW的GaN功率器件,该器件在工作电压为60 V、工作频率为0.35~0.45 GHz、脉宽为300μs、占空比为10%条件下,频带内输出功率大于3 kW、功率增益大于16 dB、功率附加效率大于71%、抗负载失配能力不小于10∶1。     

“十二五”期间中国半导体产业发展规划研究

半导体产业是信息技术革命的基础,半导体产业发展规划引领半导体产业发展,在国家科技战略中具有举足轻重的作用。在借鉴发达国家半导体产业规划促进经济发展成功经验的基础上,利用内容分析软件着重研究中国"十二五"期间半导体产业发展规划中的关键节点,并与中国科技发展战略中的关键节点进行类比,提出半导体产业在创新、投入以及产业协同等方面的规划建议,为中国半导体产业保持持续、健康和高速发展提供参考。     

网络地址变换对不同扫描攻击的防御优势分析

网络地址变换通过动态地改变或映射主机的网络地址,使得攻击者收集到的地址信息变得无效,然而对于扫描到主机即发起攻击的扫描攻击,网络地址变换的防御性能有所下降,很少有研究从理论上分析网络地址变换对不同扫描策略的扫描攻击的防御优势。该文考虑均匀变换和非重复变换两种网络地址变换策略,给出不同扫描策略的扫描攻击在静态地址环境以及网络地址变换环境下的概率模型,概率模型分析了攻击者命中至少一台主机的概率以及攻击者命中主机的数量;通过理论计算两种网络地址变换策略相比于静态地址环境的防御优势。分析结果表明对于可重复扫描攻击,两种网络地址变换策略相比于静态地址环境不具有防御优势;对于非重复扫描攻击,均匀变换仅当主机数量较少时才具有概率优势,非重复变换仅当主机数量占地址空间比例较小时才具有较高的比例优势。