氢气气氛下横向PNP晶体管电离损伤行为

无论氢在电子器件内部以何种形式(H2分子、H原子或H+离子)存在,均会对电子器件电离损伤产生作用,进而影响器件的抗辐照能力。本文深入研究了氢气和空气气氛条件下1 MeV电子辐照栅控横向PNP(GLPNP)型双极晶体管的辐射损伤缺陷演化行为。利用Keithley 4200SCS半导体参数测试仪对不同气氛下辐照过程中晶体管进行在线原位电性能参数测试,研究晶体管电性能退化与电子辐照注量和氢气深度之间的关系;基于栅扫技术(GS)和深能级瞬态谱技术(DLTS),研究双极晶体管中氢诱导电离损伤缺陷演化的基本特征。研究表明,与空气气氛相比,氢气气氛下电子辐照导致GLPNP的基极电流增加显著,而集电极电流明显降低,产生更多的氧化物电荷和界面态,这些现象均说明氢气加剧双极晶体管的电离辐射损伤。     

一种基于DSP的直流电源供电系统的设计

为了提高系统电源供电的可靠性和智能化,提出了一种以TI高性能数字信号处理器TMS320F2812为控制器且基于CAN总线的直流电源供电系统的设计方法。同时详细讨论了基于CAN总线的系统软件流程设计和调试方法。     

一种SSI接口光电编码器数据并行采集设计方法

SSI接口即同步串行接口具有传输速度快、连线简单、抗干扰能力强等优点,因而在光电编码器上得到了越来越广泛的应用,但其与计算机接口的连接实现较为复杂,在一定程度上影响了SSI接口光电编码器的推广和应用.基于复杂可编程逻辑器件CPLD开发的SSI接口模块SSI208P,实现了SSI接口编码器数据的高速并行采集.文章对SSI208P模块进行了详细介绍,并给出了硬件设计和软件设计思路及实现方法.     

基于SSI208接口模块的光电编码器数据采集设计

依SSI接口协议,采用复杂可编程逻辑器件（CPLD）开发了SSI并行接口模块SSI208P和SSI串行接口模块SSI208S。基于SSI208P实现了SSI光电编码器数据的高速并行采集,基于SSI208S实现了SSI光电编码器的通用串行异步接口（UART）数据采集。本文对两种SSI接口模块进行了详细介绍,并给出了硬件设计和软件设计的思路及实现方法。