面向语音通信与交互的麦克风阵列波束形成方法

临境语音通信与智能语音交互都面临复杂声学环境中的远距离高保真拾音难题，解决这一难题的有效途径是使用由多个麦克风传感器组成的麦克风阵列或多通道拾音系统，这种系统的核心是信号处理，通过对空间采样的声场信息进行时、空、频三域的联合处理来实现声源定向/定位、信号增强、噪声抑制、混响抑制、声源分离、声场参数估计等功能。麦克风阵列信号处理的方法有很多，其中研究的最多、使用的最广的方法是波束形成。本文对麦克风阵列波束形成的原理、进展以及当前常用的方法进行简要综述，内容涵盖延迟求和、超指向、差分、正交级数展开、Kronecker和自适应波束形成方法等。论文侧重于方法原理、机理和架构方面的探讨，具体的算法实现细节感兴趣的读者可以参考相应的文献。      

一种基于迟滞编码的自动语音端点检测方法

端点检测在语音识别中占有十分重要的地位，端点检测的准确性将直接影响整十语音识别系统的性能。已往的自动端点检测方绝大多数都是利用帧平均能量EN，帧平均跨零数ZN，帧平均跨零积A和帧平均零比B等参敦来确定语音段的始点和终点。这些方法的缺点是难以设置对各次实验都合适的固定阈值，这给实际应用带来了很多不便。本文提出了一种基于迟滞编码的自动端点检测方法——在对语音信号进行迟滞编码的基础上，利用各杖的码字和来判斯语音段的起点和终点。该方法充分利用了噪声和信号的统计特性，克服了已往端点检测方法的不足。实验结果表明．该方法具有良好的性能。     

卫星电视接收系统的安装、调试

目前,广播电视发射台站在转播过程中仍采用卫星信号作为信号源.因此,对于从事卫星广播工作的工程技术人员来说,全面掌握卫星电视接收系统的安装、调试与维护是十分必要的.本文以发射台卫星接收系统的安装、调试及维护工作为例,介绍了卫星接收系统的相关经验.     

铜掺杂氧化锌纳米棒的非线性光学响应竞争特性

利用飞秒脉冲激光激发Cu掺杂ZnO纳米棒,研究其特有的非线性光学性质和激发机制。在激发波长为750 nm的荧光光谱中,二次谐波峰非常弱,几乎可以忽略,存在非常强的激子发光峰和Cu掺杂导致缺陷发光峰。激发强度的增大会导致这两个发光峰强度呈非线性增大,激子发光峰位产生明显红移,而缺陷发光峰位没有变化。进一步增大激发强度,缺陷发光峰强度会出现饱和甚至有所下降,而激子发光峰强度持续增大。当激发波长增加到760 nm时,从样品的荧光光谱可以清楚地识别到二次谐波峰和激子发光峰以及缺陷发光峰并存。随着激发波长的进一步增加,二次谐波强度不断增大,而激子发光峰和缺陷发光峰的强度却随之下降。当激发波长为790 nm和800 nm时,未发现激子发光峰和缺陷发光峰,非线性光谱以二次谐波为主导。研究结果表明,通过选择合适的激发波长和激发强度,可以实现发光颜色的转变,使得Cu掺杂ZnO纳米棒在全光显示方面具有潜在的发展前景。     

铁钝化多孔硅的制备及光致发光机理研究

采用水热腐蚀法在相同环境下制备了不同晶型的铁钝化多孔硅样品。同一样品表面具有相似的孔隙结构,不同样品形貌存在差异。在300 nm光激发下,样品发光峰位于618 nm附近,半高宽约为132 nm。傅立叶红外变换光谱显示样品中有强的Si—Si、Si—O—Si、O y—Si—H x化学键振动吸收。结果表明,水热腐蚀法制备的铁钝化多孔硅表面形貌与腐蚀过程的局域电极分布关系密切。样品的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用,并受非桥氧空穴发光中心数量影响。     

地面数字电视发射机原理和维护

从目前数字技术的发展趋势来看,地面数字电视终将替换彩电,成为接收电视节目的主流机体。地面数字电视发射机取代模拟电视发射机自然也将成为必然。地面数字电视广阔的市场需求也给地面数字电视发射机的检修和维护工作带来了更大的难度。要保证地面数字电视的日常运转,就必须对店面数字电视发射机的运维提出新要求。本文将借助地面数字电视发射机的运行原理,具体分析地面数字电视发射机的运维措施。     

水热腐蚀时间对铁钝化多孔硅表面形貌和光致发光的影响

采用水热腐蚀法制备了4个腐蚀时间不同的铁钝化多孔硅样品,铁钝化多孔硅样品表面呈海绵结构,随着腐蚀时间增加,样品表面的平整度下降,腐蚀孔尺寸差别有增大的趋势。在250nm光激发下,样品发光峰位于620nm附近,半峰全宽约130nm。腐蚀时间从10min增加到40min,4个样品的发光峰并未出现定向的红移或蓝移。结合样品傅里叶变换红外吸收光谱的结果,铁钝化多孔硅的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用,相应的辐射复合发光中心为非桥氧空穴。     

铁钝化多孔硅的制备及光致发光机理研究

采用水热腐蚀法在相同环境下制备了不同晶型的铁钝化多孔硅样品。同一样品表面具有相似的孔隙结构,不同样品形貌存在差异。在300 nm光激发下,样品发光峰位于618 nm附近,半高宽约为132 nm。傅立叶红外变换光谱显示样品中有强的Si-Si、Si-O-Si、O_<em>y-Si-H_x化学键振动吸收。结果表明,水热腐蚀法制备的铁钝化多孔硅表面形貌与腐蚀过程的局域电极分布关系密切。样品的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用,并受非桥氧空穴发光中心数量影响。     

碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究

本文通过分析碳纳米管的电荷分布规律,巧妙地将处于外电场中且端口封闭的金属性碳纳米管等效成电荷非均匀分布的球面,获得了包括端部球面电荷、管壁电荷与镜像电荷共同作用的场增强因子为β=1.14 h/R 2.62.结果表明:场增强因子是碳纳米管长径比h/R的线性函数,并与电荷分布密切相关.在此基础上,研究发现35%的管壁电荷对碳纳米管电子发射的场增强因子贡献约为9.7%,但仍远大于镜像电荷的影响.根据模型中电荷非均匀分布导致碳纳米管各处局域电场大幅度变化,解释了仅在球面的一定区域才大量发射电子且发射电流密度不均匀的实验现象.     

碳纳米管场增强因子计算模型的研究

场增强因子(β)是评价碳纳米管场发射性能的重要参数之一.本文介绍了几种计算β的模型,分析了各种因素对β的影响.通过对所得β表达式进行比较,总结了不同模型中影响场增强因子的主要因素.