Dielectric Properties of Multilayered Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films Deposited on ITO-Coated Corning 1737 Glass by rf Magnetron Sputtering

A new stacking method via variation ofsubstrate temperature in rfmagnetron sputter is used to fabricate polycrystalline/polycrystalline Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films with higher dielectric constant, higher breakdown strength and lower leakage current densities than those prepared by a conventionM deposition method. The improved figure of merit G （ε0εrEb） of the Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films implies that they are a feasible insulation layer for thin film electroluminescent devices.     

电子束共蒸发Al2O3-La2O3和ZrO2-Ta2O5复合薄膜的介电性能研究

Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3（ALO）和ZrO2-Ta2O5（ZTO）复合薄膜,用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0．013V和0．56V,击穿场强分别为128MV／m和175MV／m,在50MV／m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3．1×10-5／cm2和4．1×10-5A／cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3．9×10-5／cm2和3．7×10-5A／cm2。另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。     

非对称绝缘层无机EL显示器件的研究

非对称绝缘层无机EL显示器件是一种新颖的器件结构。成功制备了一批ZnS：Mn器件,其下介质层为厚100-200nm的SrTiO3（ST）或Ba0．5Sr0．5TiO3（BST）或Ta2O5薄膜,上介质层为厚600～1100nm的Ta2O5或ST／Ta2O5或HfO2／Ta2O5／Al2O3薄膜。发现以ST／Ta2O5为上介质层的器件具有适当的阈值电压、较高的L50和较陡的L—V曲线,以HfO2／Ta2O5／Al2O3为上介质层的器件具有较高的可靠性。     

Finder-1000 X射线能谱仪在彩色显像管玻璃制造中的应用

显像管玻璃是由各种粉末状原料经1000℃以上高温熔制而成的,这是一个复杂的硅酸盐形成过程.在整个熔制和成型过程中不可避免地会产生由于工艺变化等因素而造成的玻璃制品缺陷,由于夹杂在玻璃中的杂质非常小,要确定微小杂质的成分,需要对杂质作微区的显微分析.我们利用Finder-1000 X射线能谱仪对各种杂质进行成分分析,从中找出引起杂质的原因,解决生产过程中的问题.Finder-1000 X射线能谱仪对指导生产,改进工艺起到重要作用.     

小型掠入射式近边X射线吸收谱仪的设计

近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)谱包含了吸收原子的局域结构信息,由于其适用范围广,灵敏度高,已经成为研究物质结构的重要手段之一。为了研究有机物的碳1s NEXAFS谱,本文基于气体激光等离子体X射线光源,采用具有平场特性的凹面变线距光栅作为分光元件,面阵CCD作为光谱探测器,设计了一台小型掠入射式近边X射线吸收谱仪。通过优化光栅和CCD的装配方案,得到了入射角88.6°的装配参数。利用光线追迹法分析了谱仪的分辨率,该谱仪工作波段2~5 nm,在4.4 nm处分辨率可达666。通过分析各结构参量误差对谱线半高宽的影响发现,半高宽对入射角的误差最为敏感,优化的装配方案可以实现入射角的高精度调节。利用氮气等离子体光谱测试了光谱仪的性能,结果显示分辨率达到设计指标。