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1.
针对光耦器件可靠性筛选,提出全频段阈值筛选方法检测光耦器件内部低频噪声。根据光耦器件内部的低频噪声完成光耦器件可靠性的筛选。实验中利用光耦器件测试系统检测200只光耦器件内部的低频噪声,计算这200只光耦器件全频段平均噪声谱,确定筛选的阈值,再根据光耦器件可靠性分类标准,判断被测器件可靠性等级。  相似文献   
2.
频域分析法是线性自动控制系统的一种图形化分析法,用于分析系统的动态性能和稳态性能。利用Matlab/GUI界面设计工具与M文件编程结合,设计了自动控制系统频域分析的演示界面。该界面可进行系统参数设置,显示系统开环传递函数,绘制相应的对数坐标图,便于观察系统的组成或参数变化对系统性能的影响,能够满足课堂教学演示与课外仿真实验。  相似文献   
3.
一种基于神经网络的模拟电路故障诊断方法   总被引:2,自引:1,他引:1  
提出了一种基于模拟电路故障诊断的神经网络方法。这种方法利用小波分解、数据标准化、主成分分析对输入数据进行预处理,采用k个神经元输出的前馈神经网络结构进行有效训练。该方法检测和识别故障准确率高,系统的鲁棒性和稳定性强。  相似文献   
4.
文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)原位生长SiNx栅介质,成功制备了高性能的SiNx/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。深能级瞬态谱(DLTS)技术测试SiNx/AlN的界面信息,显示其缺陷能级深度为0.236 eV,俘获截面为3.06×10-19 cm-2,提取的界面态密度为1010~1012 cm-2eV-1,表明MOCVD原位生长的SiNx可以有效降低界面态。同时器件表现出优越的直流、小信号和噪声性能。栅长为0.15 μm的器件在2 V的栅极电压(Vgs)下具有2.2 A/mm的最大饱和输出电流,峰值跨导为506 mS/mm,最大电流截止频率(fT)和最大功率截止频率(fMAX)分别达到了65 GHz和123 GHz,40 GHz下的最小噪声系数(NFmin)为1.07 dB,增益为 9.93 dB。Vds = 6 V时对器件进行双音测试,器件的三阶交调输出功率(OIP3)为32.6 dBm,OIP3/Pdc达到11.2 dB。得益于高质量的SiNx/AlN界面,SiNx/AlN/GaN MIS-HEMT显示出了卓越的低噪声及高线性度,在毫米波领域具有一定的应用潜力。  相似文献   
5.
针对无线光通信突发信道的特点,利用有限状态机FSM控制两片RAM的读写完成了交织器的设计,解决了使用单片RAM设计交织器所带来的数据不能连续输出的问题,并对该方法下的交织器进行了时序仿真,成功验证了基于FSM的交织器的功能。  相似文献   
6.
为了提高双主体互动教学模式的教学效果,提高学生的自主学习以及创新能力,更加全面客观的评价学生的学习情况,提出了多元化教学评价方法。该方法打破传统单一的笔纸测验,将多种评价方式有机结合,促进学生更好的发展,最终实现学生的全面发展。  相似文献   
7.
通信工程专业是信息科学技术发展迅速的一个领域,为了满足社会对人才知识水平的需求,本科教育必须不断调整教学计划,优化课程结构。本文利用Blooml~标方法对通信工程专业课程进行整合、分类,建立了通信工程专业课程群。实践表明该方法构建了合理、规范的通信工程专业课程群,培养了满足社会需求的高素质人才。  相似文献   
8.
为了减少光纤故障因素以及故障时找出光纤的故障点,保证光纤系统的连接质量.提出一种基于隶属度函数的电力光纤线路健康度综合改进评价方法.选取电力光纤振动参数(S)、温度参数(T)、湿度参数(RH)作为衡量电力光纤线路运行状态的指标,建立关于电力光纤线路状态健康程度的隶属度关系矩阵;并在进行综合评价时改进了光纤线路状态因素综...  相似文献   
9.
为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。  相似文献   
10.
针对光耦器件的可靠性筛选,本文提出全频段阈值筛选方法检测光耦器件内部低频噪声。根据光耦器件内部的低频噪声完成光耦器件可靠性的筛选。实验中利用光耦器件测试系统检测200只光耦器件内部的低频噪声,计算这200只光耦器件全频段平均噪声谱,确定筛选阈值,再根据光耦器件可靠性分类标准,判断被测器件可靠性等级。  相似文献   
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