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Ｓ波段低相位噪声ＨＢＴＭＭＩＣＶＣＯ陈新宇，林金庭，陈效建（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２２ＴＮ４５４ＳＢａｎｄＬｗｏＰｈａｓｅＮｏｉｓｅＨＢＴＭＭＩＣＶＣＯ￥ＣｈｅｎＸｉｎｙｕ；ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ；ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ... 相似文献
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广播媒体行业不可回避的问题是业务网络和因特网的连接问题.长期以来,为了保障核心生产网不受病毒侵害等绝对安全要求,这个业务网同生产播出核心网之间的信息交换都是采取完全物理隔离的方式进行的.每一次这样的文件信息交换都非常麻烦,而这样的信息交换又是必须和经常的.这样的操作对电台节目的时效性影响非常大,为了彻底改善这种状态,寻找到一种既有效又安全的方式,是我们工程技术人员的责任.在与相关同行的共同研究下,我们寻找到了一种有效的方式,供大家探讨. 相似文献
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分布式量子计算是解决现有量子计算设备还不足以支持大规模量子计算问题的有效途径,分布式子系统之间通过隐形传态建立通信链路来传输量子位,隐形传态的次数决定了分布式量子计算的传输代价。为了减少分布式子系统间的隐形传态次数,提出了一种跨门合并传输模型,该模型允许多个不连续的门通过一次隐形传态完成传输。基于该传输模型,对分布式量子计算的隐形传态次数进行优化。在不考虑分布式子系统量子位数时,与现有的研究结果相比隐形传态次数平均减少57.3%;在分布式子系统量子位数受限的情况下使用该模型,在消耗更少量子位的同时,隐形传态次数平均减少14.6%,针对较大规模的量子线路,优化率达58.8%。 相似文献
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1~26.5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片 总被引：1，自引：0，他引：1
采用GaAs PIN二极管,完成1~26.5 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0.5 dB,驻波优于1.1,隔离度大于27 dB,在10~26.5 GHz,隔离度大于37 dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构,76 mm GaAs圆片工艺加工制作。 相似文献
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采用GaAs pin二极管,完成了15～40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15～20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作. 相似文献
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