精确计算在π~0重整化链图传播下p→p′微分截面

本文采用中性介子π0与核子N-反核子U-强相互作用的Lorentz不变耦合模型,对质子反质子在中性介子π0重整化链图传播下的散射微分截面,作了严格解析计算后获得了"精确"理论结果;进而,又对该计算结果与π0树图传播下的微分截面作了对比分析,获得了相关辐射修正的重要结果.这对于深入研究质子摊贩质子在高、中、低能区中的弹性碰撞及其描述强相互作用的Lorentz不变耦合模型理论,都将提供某些值得借鉴与参考的理论研究价值.     

强γ背景下中子针孔成像的点扩展函数

 利用基于Geant4建立起来的针孔成像模型获得了不同偏移量下γ与中子的好事例、能量沉积的比值,并模拟分析了强γ背景对中子针孔成像点扩展函数的影响。研究结果表明:在偏移量小于1 cm时,γ与中子的好事例之比、γ与中子的能量沉积峰值之比以及γ与中子的能量沉积总和之比分别在0.40～0.42,0.63～0.65以及0.46～0.49之间;偏移量大于1 cm时,比值下降明显,γ对中子的影响减小。在同一偏移量下,γ射线的点扩展函数的分布范围要比中子的小,两者叠加后所获得的点扩展函数的分布范围介于两者之间。在一定入射偏移范围内的成像质量优于在针孔中心位置入射时的成像质量。     

Conductivity modulation enhanced lateral IGBT with SiO2 shielded layer anode by SIMOX technology on SOI substrate

New Lateral IGBT with SiO2 shielded layer anode on SOI substrate is proposed and discussed. Compared to the conventional LIGBT, the proposed device offers a conductivity modulation enhanced effect due to the SiO2 shielded layer anode structure which can be formed by SIMOX technology. Simulation results show that, for the proposed LIGBT, during conducting state, the electron-hole plasma concentrations in n-drift region are several times larger than that of conventional LIGBT; the conducting current is up to 37% larger than that of conventional one. The SiO2 shielded layer anode conductivity modulation enhanced effect do not sacrifice other characteristics of device, such as breakdown and switching, but is compatible to other optimized technologies.     

W-S中含Fermi圈的光子链传播子及其e-e+→μ-μ+截面

研究电弱统一标准模型(W-S)里的电磁相互作用,传递相互作用的是γ,光子传播子,并对光子传播子里的"树图"以及出现轻子与夸克混合圈中的"链圈图"及其"链图"作了考察与分析,获得光子重整化链图传播予函数"精确"解析计算结果.利用这一结果,又对高能物理中备受关注的一类轻子反应:e-e →μ-μ 作了有关研究,计算出在光子链图传播下的反应截面,并获得"精确"理论计算结果,同时还与实验结果作了对比分析,发现本文理论计算结果与实验吻合较好,获得了有关"辐射修正"的许多重要分析结果.     

W-S中含Fermi圈的光子链传播子及其 截面

研究电弱统一标准模型(W-S)里的电磁相互作用,传递相互作用的是 光子传播子,并对光子传播子里的“树图”以及出现轻子与夸克混合圈中的“链圈图”及其“链图”作了考察与分析,获得光子重整化链图传播子函数 “精确”解析计算结果. 利用这一结果,又对高能物理中备受关注的一类轻子反应： 作了有关研究,计算出在光子链图传播下的反应截面,并获得“精确”理论计算结果,同时还与实验结果作了对比分析,发现本文理论计算结果与实验吻合较好,获得了有关“辐射修正”的许多重要分析结果。     

一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究

薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor,LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement,IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。     

超薄柔性硅CMOS器件及无源元件性能退化仿真研究

基于150 mm 0.35μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N⁺型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度。结果表明,单轴拉伸与压缩弯曲使NMOS的阈值电压最大漂移0.46 mV,使PMOS阈值电压最大漂移0.33 mV。漏极电流随变形量线性变化,NMOS压缩时系数为-0.132 95,NMOS拉伸时系数为0.006 01。PMOS拉伸时系数为-0.104 47,PMOS压缩时系数为-0.110 7。电阻阻值随变形量呈线性变化,当掺杂浓度分别为1×10¹⁹,2×10¹⁹,3×10¹⁹,4×10¹⁹,5×10¹⁹时,系数分别为247,498,766,1 016,1 301。电容最大变化值和初始值不超过0.5%,结论归纳为无失配影响。这些结果与实验吻合,验证了模型的正确性,为研制降低退化的柔性硅基集成电路打下基础。     

A novel lateral IGBT with a controlled anode for on-off-state loss trade-off improvement

New Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor with a Controlled Anode (CA-LIGBT) on Silicon-On-Insulator (SOI) substrate is reported. Benefiting by both of enhanced conductivity modulation effect and high resistance controlled electron extracting path, CA-LIGBT has faster turn-off speed and lower forward drop, and the trade-off between off-state and on-state losses is better than that of state-of-the-art 3-D NCA-LIGBT we presented earlier. As simulation results shown, the ratios of Figure of Merit (FOM) for CA-LIGBT comparing to that of 3-D NCA-LIGBT and conventional LIGBT are 1.45:1 and 59.53:1, respectively. And, the new devices can be created by using an additional Silicon Direct Bonding (SDB). So, from power efficient point of view, the proposed CA-LIGBT is a promised device used in power IC's.     

精确计算p重整化链图传播下p→2π~0反应微分截面(英文)

采用中性介子π0与核子N-反核子N-强相互作用的Lorentz不变耦合模型,对质子反质子重整化链图传播下p→2π0反应微分截面作了严格解析计算,获得精确理论结果;并通过将该计算结果与质子反质子树图和重整化单圈图传播下p→2π0反应微分截面作对比分析,讨论了相关辐射修正.此研究结果对于Lorentz不变耦合模型理论的深入研究与核物理的深入探索,都将提供理论计算研究方面一定的学术参考价值.     

精确计算电子重整化链图传播下的Compton散射微分截面

采用电子与光子电磁相互作用最小耦合模型,对电子重整化链图传播下Compton散射微分截面作了严格解析计算,获得精确理论结果;并将该计算结果与电子树图和重整化单圈图传播下Compton散射微分截面作对比分析,获得了有关辐射修正的重要信息.此研究结果对精确描述Compton散射现象以及对电磁相互作用所呈现的复杂内部过程的深入探讨,都将从一个重要研究侧面给出理论计算研究方面某些可供借鉴与参考之处.