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本文主要概述了碲镉汞光伏探测器及其电流机构：扩散电流、产生复合电流、直接隧道电流、间接隧道电流、表面漏电流以及光电流等。然后根据碲镉汞的电流机构讲述了建立光电集成回路计算机辅助分析的器件模型的步骤。 相似文献
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不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制 总被引：7，自引：0，他引：7
在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层（CdTe+ZnS）钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能．通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流．通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因． 相似文献
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NROM（Nitride Read Only Memory）位线（Bit Line,BL）是通过离子注入的方式,由硅衬底掺杂形成的源极／漏极区组成,被称作埋入式位线（Buried BL）。由于衬底掺杂及其浓度分布无法直接通过扫描电子显微镜（SEM）或透射电子显微镜（TEM）剖面形貌分析的方法获得,并且单一结区形貌很难反映整个器件的特性,所以在由掺杂引起的器件失效分析过程面临很大的挑战。本文结合深亚微米NROM制程中,晶圆级电性测试（wafer accept test,WAT）参数Pt（BL到BL之间的击穿电压）和Ⅰoff（关态电流）失效分析的案例,介绍了一种新的物性失效分析方法-间接剥层的方法来显示衬底形貌,可以清晰地观察到埋入式位线的失效区域。 相似文献
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