α-(1H-1,2,4-三唑-1-基)-β-芳硫基取代苯酮的合成及生物活性研究

利用 2 (1H 1,2 ,4 三唑 1 基 ) 2 丙烯 1 酮 (2 )与取代硫酚或含巯基的杂环化合物进行 1,4 亲核加成 ,得到目标化合物 3,其结构经元素分析、核磁和红外光谱所证实 ,并对其进行了生物活性的测试 ,发现大部分化合物具有很好的抑菌活性 .结构与活性的关系表明不同的R1取代对其生物活性有较大的影响 ,当R1=(CH3 ) 3 C时 ,对小麦锈病的抑制活性要高于R1=Ar的活性 ,而Ar上不同的取代基对其活性影响不大     

a-(1H-1,2,4-三唑-1-基)-β-芳硫基取代苯酮的合成及生物活性研究

利用2-(1H-1,2,4-三唑-1-基)-2-丙烯-1-酮(2)与取代硫酚或含巯基的杂环化合物进行1,4-亲核加成,得到目标化合物3,其结构经元素分析、核磁和红外光谱所证实,并对其进行了生物活性的测试,发现大部分化合物具有很好的抑菌活性.结构与活性的关系表明不同的R1取代对其生物活性有较大的影响,当R1=(CH3)3C时,对小麦锈病的抑制活性要高于R1=Ar的活性,而Ar上不同的取代基对其活性影响不大.     

SAW脉压线研制中的计算机辅助设计与工艺

本文介绍了中心频率150MHz,带宽60MHz,时宽4.8微秒,压缩脉冲30″'SAW 脉压线的研制技术。器件关键指标主付辫比28～30dB,满足了雷达专题上站实验要求。文中对计算机辅助设计和工艺技术作了较详尽的描述。     

使用多条耦合器的SAW滤波器的设计

本文介绍了由一多条耦合器和两加权换能器组成,而且长度很小的 SAW 滤波器的改进设计。用 FIR 滤波器逼近所要求的频率响应。用线性规划方法获得平滑的通带。这种频率响应通过零点分离法被分配到两个换能器上。允许具有不对称时间函数,可使两换能器间的响应差极小。最后,提出了对电路和衍射效应补偿的方法。测得设计在 yz—LiNbo_3基片上的带通滤波器的波形系数为1.08。     

120KC极窄带SAW滤波器的研制

本文用海明函数抽指加权单电极叉指换能器(IDT)设计方法,特别是通过国内尚未见报导过的所谓“稀化技术”.消除了单金属电极和基片之间存在的速度不连续性和阻抗不连续性引起的叉指间内反射所导致的严重通带畸变.(不稀化时其带内起伏波纹10dB 右左,恶化到无法使用的地步。[1])保证了通带光滑.我们在 ST—X 石英基片上用两个相同的这种抽指加权单电极经过“稀化”的 TDT’S,实现了中心频率70MHZ,三分贝带宽120KC,(相对带宽约0.18%),插入损耗20dB,带外拟制>—43dB 的器件。应用于邮电通讯中频接收系统中.     

AMOLED像素电路的设计与仿真研究

为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法.最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并根据已设计的参数进行了仿真,结果表明改进后的电路功能不变,且在驱动阶段,驱动电流...     

α-(1H-1,2,4-三唑-1-基)-β-芳硫基取代苯酮的合成及生物活性研究

利用2-（1H-1,2,4-三唑-1-基）-2-丙烯-1-酮（2）与取代硫酚或含巯基的 杂环化合物进行1,4-亲核加成,得到目标化合物3,其结构经元素分析、核磁和红 外光谱所证实,并对其进行了生物活性的测试,发现大部分化合物具有很好的抑菌 活性。结构与活性的关系表明不同的R~1取代对其生物活性有较大的影响,当R~1 = （CH_3）_3C时,对小麦锈病的抑制活性要高于R~1 = Ar的活性,而Ar上不同的 取代基对其活性影响不大。     

PtSi-SBD光腔结构的共振吸收模型

研究了PtSi-SBD的结构和光产额.由光产额模型可知,采用薄PtSi光腔结构和降低肖特基势垒可提高量子效率.利用光的共振吸收模型,通过计算机模拟计算表明,引入抗反射层,优化光腔结构可以大大提高光的吸收率.同时,PtSi膜厚在1～2 nm时,PtSi-SBD的量子效率系数最大.     

仿真环境下探究氢化非晶硅薄膜晶体管原理的教学实践

氢化非晶硅薄膜晶体管(α-Si:H TFT)是平板显示领域的主流技术,其原理是传统教学模式中的难点,相反却为探究式教学呈现出了广阔空间.将 α-Si:H TFT的工作状态分为四个区域,详细分析了这四个区域的电流-电压特性,结合RPI SPICE参数规划了教学核心内容并示例性给出了探究点,通过参数调整-仿真-参数提取-再仿真的闭环过程,可以深入理解 α-Si:H TFT的物理机制.教学实践表明增高了学生参与度,教学效果良好.     

PtSi—SBD光腔结构的共振吸收模型

研究了PtSi—SBD的结构和光产额。由光产额模型可知，采用薄PtSi光腔结构和降低肖特基势垒可提高量子效率。利用光的共振吸收模型，通过计算机模拟计算表明，引入抗反射层，优化光腔结构可以大大提高光的吸收率。同时，PtSi膜厚在1～2nm时，PtSi—SBD的量子效率系数最大。