锗硅单晶扩散系数理论探讨及各晶向扩硼实验

本文从杂质原子在锗硅单晶三个主要晶向的扩散模型着手,对各晶向的扩散系数进行理论推导,得出了扩散系数各向同性的结论;介绍了实验结果,并给出硼在硅单晶三个主要晶向的扩散系数随温度变化的关系曲线;最后探讨了理论与实验偏离的原因.     

n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火

实验研究了不同表面处理方法和不同退火条件对GaN上的Ti/Al电极的影响,用CH3CSNH2/NH4OH处理后的GaN材料的荧光光谱强度最高,在该材料上制作的Ti/Al电极的欧姆接触电阻率最小.通过欧姆接触电阻率,I-V曲线,X射线衍射等手段,分析了GaN与Ti/Al 电极接触表面在退火过程中的固相反应,提出了二次退火的方法.     

用场限制环、场板作器件终端设计高压大功率晶体管

本文扼要介绍了场限制环、场板、等位环等终端结构对提高PN结雪崩击穿电压的原理,着重叙述采用这些技术,以三重扩散片为衬底材料来设计高反压功率晶体管时,平面终端最佳条件的选择.     

n-GaN表面Ti/Al/Ti/Au电极的电学特性

实验研究了淀积在GaN上的Ti/Al/Ti/Au电极的电学和热学特性,绘制了不同退火温度下的I-V曲线,得到了最低的欧姆接触电阻率(ρs=1.2×10-4 Ω·cm2),并通过X射线衍射谱分析了GaN与Ti/Al/Ti/Au电极接触表面在退火过程中的固相反应.实验结果表明,在Ti/Al表面增加Ti/Au保护层能够保证Al层在高温时不发生球化和氧化,电极更稳定可靠能够进一步提高欧姆接触特性.