用于SAW器件的C轴择优取向LiNbO3薄膜的制备及结构研究

采用射频（RF）磁控溅射法在金刚石（111）衬底上沉积LiNbO3（LN）薄膜,借助X射线衍射技术（XRD）,研究了外加偏压（0～80V）和衬底温度（200～500℃）等工艺参数对LiNbO3薄膜结构和取向性的影响。实验结果表明,在衬底温度为200℃、外加偏压为～80V的T艺条件下,LiNbO3的（006）衍射峰强度超过LN的（012）衍射峰强度,在金刚石（111）衬底上获得较高c轴取向的LN薄膜。并且对C轴择优取向LN薄膜的形成机理进行了探讨。     

高声速（100）择优取向AIN薄膜的制备和性能研究

采用射频磁控溅射法,通过改变工艺参数在n型（100）Si片上制备了表面粗糙度小、以（100）面择优取向的AlN薄膜。研究了高温退火、N2结尾等工艺对AIN薄膜择优取向的影响。结果表明,增大工作气压有利于薄膜（100）面择优取向,但是随着工作气压升高薄膜沉积不均匀,通过退火可以减少这种缺陷;N2-Ar比低有利于（100）...     

BDD/Ti复合膜电化学特性及其在含油废水中的应用

为了提高传统膜材料的抗污染能力,采用化学气相沉积法在多孔钛膜材料表面沉积了掺硼金刚石薄膜,制备出了新型BDD/Ti复合膜.对BDD/Ti复合膜在含油废水中的电化学特性进行了分析,并对其处理效果进行了评价.结果表明膜分离技术结合电化学清洁技术,提高了膜的抗污染能力,同时增强了分离效果,延长了膜的使用寿命.     

可用于建筑结构检测的分布式光纤形变片

本文在光时域反射计（OTDR）和光纤形片的基础上,提出了一种分布式光纤传感器－分布式光纤形变片,该检测方法属于OTDR的损耗调制法,即通过测量粘贴于光纤形变片上的光纤弯曲损耗来获取测量点的应变量或位移量,作者分别在微位移架和悬臂梁进行了位移检测和应变检测,结果表明该分布式光纤形变片提供了一种可检测应变量与位移量的检测方法,值得注意的是,该分布式光纤形变片的传感网络采用时分复用的总线拓扑,能在一根光纤上同时检测多个检测点的变化。     

使用共振多程光声池的CO_2和SF_6的无多普勒饱和吸收光谱

本文使用共振多程池的光声探测法对CO_2和SF_6分子的无多普勒饱和吸收光谱进行了实验研究.测量CO_2的吸收凹陷约为2.5MHz,实验中观察到5个SF_6的吸收凹陷、凹陷深率约为1.9MHz.两种情况的分辨率均大于10~7.     

TCP超时重传定时器优化的研究

本文对TCP重传定时器算法进行了改进，克服了TCP重传定时器在工作过程中出现预测性的错误，即当DELTA呈现负值时RTO反而升高。从而使RTO得到优化，最后在NS平台上对改进后的TCP性能进行了仿真。     

新半金属材料CrFe2O4的电子结构

基于第一性原理, 优化了含Cr的高温相尖晶石结构材料(CrxFe1-x)A(CryFe2-y)BO4的几何结构, 并对它们的磁电性能进行了计算. 基于配位场理论分析了CrFe2O4的电子结构及其具有半金属性的微观机制. 计算表明, 仅当x=1.0、y=0.0时, (CrxFe1-x)A(CryFe2-y)BO4具有半金属性. CrFe2O4是典型的亚铁磁性耦合的IIB型半金属, 其分子磁矩约为5.6 μB, 大于Fe3O4的4.0 μB. 在CrFe2O4的四面体晶体场中, 中心离子的电子结构可近似写为Cr+t12g↑t32g↓; 八面体晶体场中, 中心离子的电子结构可近似写为Fe2+t32g↑e2g↑t12g↓. CrFe2O4具有半金属性的原因是在配合物ML4和ML6中, 中心离子与周围O配体间存在强烈的共价键作用, 该作用使中心离子与O配体间形成杂化轨道, 导致自旋向上子带被撕裂, 进一步使费米面正好处于自旋向上子带带隙中.     

实时自适应阈值二值化联合变换相关器

提出了采用参考图像功率谱为阈值的自适应阈值二值化联合变换相关器 ( BJTC)的方法。和传统的联合变换相关器结果比较 ,自适应阈值法对于输出的相关峰值、信噪比等主要参数都有明显提高。对这种方法进行了理论分析和计算机模拟 ,并给出了光学实验结果 ,为自适应阈值二值化联合变换相关器的实用化奠定了基础。     

How to reduce the Al-texture in AlN films during film preparation

The preparation of aluminum nitrogen(AlN) film without Al texture is of great significance for the manufacture of highperformance surface acoustic wave(SAW) device.We research the process factors which bring Al into AlN film due to radio frequency(RF) magnetron sputtering system,and discuss how the process parameters influence the AlN thin film containing Al.In the research,it is found that the high sputtering power,the low deposition pressures and low partial pressure of Ar can lead to growing Al-texture during AlN thin film preparation,and the experiment also shows that filling the chamber with nitrogen gas can recrystallize a small amount of Al composition into AlN film during the annealing process in the high temperature environment.     

L-丝氨酸修饰掺硼金刚石薄膜电极检测去甲肾上腺素

采用直流等离子体喷射化学气相沉积(CVD)法制备了掺硼金刚石(BDD)薄膜电极.提出了应用L-丝氨酸修饰掺硼金刚石薄膜电极检测去甲肾上腺素,提高了去甲肾上腺素(NE)含量检测的精度.在浓度为2.0×10-4 mol/L的去甲肾上腺素溶液中,通过对比BDD裸电极与L-丝氨酸修饰BDD电极得出:经L-丝氨酸修饰的BDD电极的电催化氧化能力明显增强;在浓度为1.0×10-4～1.0×10-8 mol/L的范围内,浓度的对数与氧化峰电流基本呈线性关系,且检测限为1.0×10-9 mol/L.