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2.
G880是联想2004年第一批上市的产品,也是联想在手机领域新一轮的冲击。从外观上看,G880虽然与以前的联想手机风格基本类似,但经过使用时候,还是可以感觉到一些特别的地方。 相似文献
4.
作为国有品牌的支柱型企业,联想的一举一动都预示着民族工业的发展状况,这款日前在深圳“2004年中国国际高新技术成果交易会”上与人们见面的V850手机,就是联想的第一款百万像素拍照手机。 相似文献
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6.
溶胶—凝胶法制备SiO2基片Er^3+:Al2O3光学薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
用溶胶—凝胶法在SiO2基片上提拉制备了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、差热—热重分析仪、X射线衍射仪研究了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜的肜貌和结构特性。在900℃烧结后,SiO2基片上提拉15次形成厚度8μm掺摩尔比0.01Er^3 的面心立方结构γ-Al2O3薄膜具有明显(110)择优取向,掺摩尔比0.01Er^3 对γ—Al2O3的品体结构和结晶生长过程木产生显著影响。薄膜具有均匀多孔结构,平均粒径为30~100nm,平均孔径为50~100nm,表面起伏度为10~20nm。掺摩尔比0.01Er^3 :rAl2O3薄膜,获得了中心波长为1.534μm(半峰全宽为36nm)的光敛发光谱。 相似文献
7.
基于自相关的激光编码解算 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了半自主激光制导武器的激光编码规律,提出了运用自相关技术对激光编码进行解算。通过仿真试验验证,运用该技术可准确预测、精确同步复制敌方激光编码,并形成有效的激光诱饵,达到全程自适应干扰的目的。 相似文献
8.
3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)在不同pH的B-R缓冲溶液中有不同的电氧化行为.文中以自制的SnO2:F膜光透薄层光谱电化学池对TMB的电氧化性质进行了研究.TMB在pH 2.0至pH<4.0的B-R缓冲溶液中为一步两电子电氧化过程,在pH 4.0~pH<7.0的B-R缓冲溶液中为分步的两个单电子氧化过程,且在pH 6.5时则先为分步的两个单电子过程,随后其氧化产物进一步转化为偶氮化合物.实验中应用了薄层循环伏安法、薄层循环伏安吸收法、薄层恒电位电解吸收光谱法、单电位阶跃计时吸收光谱法、双电位阶跃计时吸收光谱法、单电位阶跃开路弛豫计时吸收光谱法等技术;测得了在各pH值的B-R缓冲溶液中TMB电氧化相应的克式量电位E0',电子转移数n以及有关的化学反应速率常数. 相似文献
9.
2,3—二氨基吩嗪的薄层光谱电化学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了2,3—二氨基吩嗪(DAP)在金圆盘电极、金超微电极上的循环伏安行为 和在金网栅电极上的薄层循环伏安行为.在pH2.0的B—R缓冲溶液中的2,3—二氨 基吩嗪在金圆盘电极上为准可逆氧还过程;以超微电极法求得了2,3—二氨基吩嗪 在pH2.0的B—R缓冲溶液中的扩散系数,由耗竭性库仑电解和循环伏安法求得其电 极反应电子转移数和H+反应级数均为2,实验说明参与电极反应的H+也为2,并用循 环伏安法求得其标准电极反应速率常数.采用紫外—可见薄层光谱电化学方法测得 2,3—二氨基吩嗪的克式量电位和电子转移数,与电化学实验结果一致;双电位阶 跃—计时吸收紫外—可见薄层光谱电化学实验说明,2,3—二氨基吩嗪电还原无随 后化学反应,其在电极上经历了H+eH+e的两步一电子过程,生成产物2,3—二氨基 -5,10-二氢吩嗪. 相似文献
10.
基于卡尔曼滤波的环路跟踪算法多是通过一定仿真证明算法性能,没有系统性性能评估,难以较好指导工程应用。在原有算法基础上进行了优化,并系统性地对比分析、评估了基于卡尔曼环路滤波算法性能,以期为算法工程化提供指导。首先提出对跟踪环路反馈调整量进行预测,使之更符合系统实际,减小环路跟踪误差。而后基于卫星信号模拟器输出信号和自生产信号源,充分评估基于卡尔曼滤波环路跟踪算法的收敛时间和灵敏度。仿真结果表明,相比目前工程常用的二阶FFL辅助三阶PLL算法,基于卡尔曼滤波环路跟踪算法能够缩短环路所需稳定时间约90%,并能提升跟踪灵敏度约5 d B,有效改善弱信号场景中接收机输出信息的完好性和连续性。 相似文献