Sn掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响

采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了Sn掺杂对薄膜表面形貌和微结构的影响。XRD结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向。SEM结果表明随着掺杂浓度的增加,薄膜表面由颗粒向纳米棒转变。电学结果显示掺杂浓度为3at%时,电学性能最好,最低电阻率为6.9×10-2Ω.cm。室温光致发光谱(PL)显示所有的SZO薄膜样品在(325 nm光激发下)380 nm和398 nm两处都有发光峰,随着掺杂浓度的增大,398 nm处的发光强度先增大后减小,然后再增大;380nm处的发光强度始终增大,这些现象与薄膜的表面结构的变化有关。     

基于最小二乘向量机结合双向时序长短期记忆的台区用电特征提取

为了实现泛在电力物联网精细化管理,为电网安全、经济的调控提供基础,需要精确的把握台区用户用电特征。对此,基于最小二乘向量机回归结合双向时序长短期记忆网络方法,提出了台区用户用电特征提取方法。首先,给出了最小二乘支持向量机回归模型的计算方法;在此基础上,提出了双向时序长短期记忆的最小二乘支持向量机回归模型,并以此作为边缘计算模型,将台区天气环境信息、人文活动信息、经济社会状态作为输入约束数据,提取台区用电特征。最后,以实际电网台区为例,对所提方法进行验证,表明了该方法能够有效提高用电预测。