西安世园会开园庆典活动无线电安全保障取得圆满成功

本刊讯 4月28日,2011年西安世界园艺博览会盛大开园。在世园会无线电安全保障工作领导小组的统一指挥下,无线电管理人员团结协作、恪尽职守,为世园会开园日营造了良好的电磁环境,     

新颖的常规硅工艺实现的侧向螺线型片上集成电感

提出了一种用常规硅工艺实现的片上集成电感的螺线型新结构．制造工艺使用标准双层金属布线的常规硅工艺．测量了螺线型集成电感的S参数，从测量数据计算了集成电感的参量．实验的侧向螺线型片上集成电感的Q值峰值为1.3，电感量为22nH．对用两层金属层实现的侧向螺线型片上集成电感和单层金属的常规平面螺旋电感的实验结果进行了比较，电感量和Q值与常规平面螺旋电感有可比性．     

非线性有机物和聚合物在波导光互连中的应用研究

硅基底波导光互连技术具有可以充分利用成熟的半导体工艺,与VLSI电子器件工艺 相容好等特点,引起了人们极大的研究兴趣。近几年飞速发展的非线性有机物和聚合物因它们同无机材料相比具有潜在优越的光学和结构特性,用于波导光互连更显示出良好的发展前景。首先它们用于开关结构的设计,为波导光互连器件的动态控制提供了又一可能性,它涉及新工艺和理论两方面研究。其次有些有机物和聚合物的电光系数与铌酸锂的相当,有的甚至高出许多,它们在连续沉积薄膜时,其电光效应无明显的改变,制作的电光调制     

新颖的常规硅工艺实现的侧向螺线型片上集成电感

提出了一种用常规硅工艺实现的片上集成电感的螺线型新结构．制造工艺使用标准双层金属布线的常规硅工艺．测量了螺线型集成电感的S参数，从测量数据计算了集成电感的参量．实验的侧向螺线型片上集成电感的Q值峰值为1.3，电感量为22nH．对用两层金属层实现的侧向螺线型片上集成电感和单层金属的常规平面螺旋电感的实验结果进行了比较，电感量和Q值与常规平面螺旋电感有可比性．     

有线电视的防雷措施

本文从理论上和实践上系统地、详细地论述了有线电视网各个环节受雷害的情况,以及对应的防雷措施。     

2μm高速双极工艺的研究

本文报导了２μｍ高性能单层多晶硅双极器件及工艺。为了改善器件性能，对基础工艺的改进和完善作了试验，如减少外延自掺杂及缺陷；改善ＥＣ漏电；降低发射极串联电阻等。并列出了典型的工艺参数及器件参数。用本工艺得到环振门延迟为２５０～５００ｐｓ，有的可达２００ｐｓ。     

新颖的衬底pn结隔离型硅射频集成电感

提出了一种新的减小硅集成电感衬底损耗的方法.这种方法是直接在硅衬底形成间隔的pn结隔离以阻止螺旋电感诱导的涡流.衬底pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺.本文设计和制作了硅集成电路,测量了硅集成电感的S参数并且从测量数据提取了电感的参数.研究了衬底结隔离对硅集成电感的品质因素Q的影响.结果表明一定深度的衬底结隔离能够取得很好的效果.在3GHz,衬底pn结隔离能使电感的品质因素Q值提高40%.     

硅双极型高速工艺和与其相容的硅PIN探测器

文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成光接收机，其中硅ＰＩＮ探测器的光电响应为０．４３Ａ／Ｗ，整机的响应度为４．４×１０３Ｖ／Ｗ，工作频率２５０ＭＨｚ。     

单片集成透镜高速1×4InGaAs/InPpin探测器阵列研究

设计并制作了带有集成透镜的1×4 InGaAs/InP pin探测器阵列.对器件纵向和横向结构参数及集成InP透镜几何参数进行了模拟设计与优化.器件带宽达1.0GHz,对宽带波分复用、光互连以及光计算网络有重要应用价值.