单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率

本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。     

用改进的图形结构测量金属/薄层半导体的接触电阻率

提出一种诊断金属／薄层半导体欧姆接触质量的改进测试图形──单点圆环结构模型．本结构不仅样品制备简单，只需做上一个小圆点和一个同心的圆环接触，无需台面绝缘，而且还有多样的灵活性．整个测试都是定域在一个小圆环内，无需考虑边界效应以及邻近其他图形的影响．发展和讨论了此模型的两种演变结构形式，使之更为简捷实用．所得结果与文献的报道一致．     

难熔金属硅化物的喇曼散射

用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_2的形成.退火温度高于680℃时,观察到207和244cm~(-1)波数处的两个TiSi_2的特征喇曼峰,当退火温度为580℃时,只有270,297和3ncm~(-1)的三个喇曼峰,这些可能是钛的氧化物和不包括TiSi的钛硅化物.     

硅集成电路和平面器件的常规管式炉快速合金化

本文报导了一种用30秒钟的快速合金化代替常规热合金化实现Al-Si欧姆接触的简捷方法.该法能有效地抑制导致浅结器件失效的Al-Si互扩散现象,工艺简单,效果良好,节电,省时、时间比常现热合金化缩短40倍.     

SiO_2上共溅射W-Si薄膜退火后的X射线衍射研究

用一个W-Si混合靶源, 以直流磁控溅射在SiO_2_ 上共溅射一层W-Si薄膜后, 进行500-1000℃ , 15s 的真空快速热退火, 发现薄层电阻随退火温度出现一反常的极大值. 用转靶X射线衍射研究分析了这一反常现象. 在直至1 1 0 0 ℃ 高温退火的样品中发现薄膜中存在W_5_Si_3_.它对薄层电阻有一定的贡献. 关键词：     

钛-硅系快速热退火固相反应机制的研究

钛膜在10^-7Torr真空中用电子束蒸发沉积在硅单晶片上,以快速热退火方式进行团相反应。转靶X射线衍射分析发现,540—600℃退火后,有两个亚稳相Ti₅Si₄的衍射峰。延长退火时间,第一成核相Ti₅Si₄可持续存在到钛被消耗完,随即转变成稳定相TiSi₂。退火温度高于640℃,形成稳定相TiSi₂。薄层电阻和喇曼散射的测量研究结果表明,与X射线衍射有很好的对应。207和244cm^-1波数处的两个喇曼峰为TiSi₂的特征喇曼峰,而270,297和341cm^-1的三个喇曼峰似乎是由Ti₅Si₄引起。 关键词：     

测量半导体材料电阻率的四探针公式的普遍形式

测量电阻率的四探针法公式中,要求是点接触而且探针的排列有一定的形状。实际上,接触总有一定的大小。本文考虑到接触面积大小的影响,并让四根探针排列成任意形状,导出了测量电阻率和薄层电阻的关系式。而直线四探针、方形四探针只不过是本公式的两个特例。 关键词：     

用水银方形四探针测量电阻率

一、引言 测量半导体材料电阻率的方法很多,四探针是最重要最常用的,它不仅简单可靠,而且是直接测量,可作为校准其它方法的标准。对于薄层样品,例如薄外延或浅离子注入样品。经金属线状四探针测量之后,薄层往往遭到破坏,甚至引起短路或穿透,如果用水银探针与硅接触,则测量之后,样品完好无缺,不留下任何损伤。实际上,用水银探针进行肖特基C     

以硬質玻璃管代替石英管进行鍺的物理提純

进行半导体材料锗的物理提純(区域提純)一般是将盛锗錠的石墨舟置于透明石英管內,在高真空(10~(-5)毫米汞柱以下)或惰性气体气氛中进行。提純过程是用高频电流线圈加热,使锗锭有一狹窄的熔区,然后用机械方法带动加热綫圈,使狹窄的熔区从锗錠的首端移动至尾端。这样重复十几次,即可获得超高純的锗了(純度可达7个9到9个9)。其简单装置如图1所示(若通以惰性气体吋,則石英管的右端需开口,且有一小孔以使气体能流出来)。     

判断金属/薄层半导体欧姆接触质量的一个新方法

提出了一个判断金属／薄层半导体欧姆接触质量的新方法－－环内圆形传输线模型外的支,样品制备简单,无需台面绝缘,测试局域在很小的圆环内无需考虑圆环外的任何边界影响,由于结构的对称性,消除了侧向电流聚集效应,通过测试值的直线拟合消除了部分偶然误差,提高了精度。