一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型

本文提出一个非均匀掺杂、短沟道MOSFET阈电压的准二维解析模型。用此模型对各种不同条件下的微米、亚微米MOSFET的阈电压进行了计算,其结果与二维数值分析程序得到的结果相符甚好。本模型可用于电路分析程序,工艺容错分析及器件的优化设计。     

从展讯案例感悟中国IC设计企业成长的瓶颈

市场运营和管理水平已经成为制约中国IC设计公司成长的瓶颈，更深层的原因则是CEO的定位及所倡导的企业文化。     

探寻国产手机发展之路

展讯公司致力于为手机提供全套解决方案,其中GPS的方案已经量产了将近两年．而且是全球第一个做出CDMA芯片的公司。展讯目前有近20个客户．多款手机已经上市。展讯公司对于目前国内手机市场情况和手机工业的发展趋势,进行了许多思考,特别是作为手机核心芯片解决方案的供应厂商,在这种困境下,如何自我定位7展讯将思考的成果和公司将来的方向向大家做一个汇报,希望与手机行业的同仁们共同探讨,摸索出一条国产手机的成功之路。     

MOS器件三维数值模拟

<正> 随着半导体器件尺寸的不断缩小和结构的日趋复杂,常用的解析分析模型往往不能满意地描述器件特性.因此,七十年代以来,二维及三维数值模拟逐渐成为半导体器件研究中的一个重要工具.     

一种NMOS四值静态存贮单元的设计

<正> 一、引言 多值存贮器,尤其是用多值单元电路构成的多值存贮器是该领域需要研究的课题之一,其应用前景甚至超过了单纯多值电路的范围。关于多值ROM单元及由动态结构组成的多值存贮器已有一些报导,本文提出一种NMOS四值静态存贮单元电路。     

三维MOSFET器件的数值分析

近年来,随着大规模、超大规模集成电路的迅速发展,集成度越来越高,器件尺寸也越来越小.在集成电路CAD及半导体器件物理研究中,为了更全面.更精确地了解器件的各种宏观特性及微观过程,必须采用二维及三维数值模拟.七十年代初,国外开始报道有关二维