DFB-LD在不同温度下的频响测量

利用脉冲注入法测量了分布反馈激光器(DFB-LD)芯片温度与激射波长的关系.基于此关系测量了不同芯片温度下分布反馈激光器的小信号响应曲线、传输眼图和误码率,并讨论了温度、偏置电流对响应曲线、传输眼图和误码率的影响.     

不同集装箱底框结构形式的强度仿真分析

文章以20尺标准集装箱的底框作为研究对象,对底框的支撑梁采用两种不同的布置方式.通过有限元仿真模拟分析这两种布置方式下集装箱整体的结构强度,为集装箱底框支撑梁结构设计提供参考.集装箱产品近些年来越来越受到重视,其可作为各种设备的承载体,箱内可放置变压器、变流器、电池堆、屏柜等,再辅助以空调、风扇等散热设备,便可以户外...     

基于nRF24L01的无线数据传输系统研究

针对传统有线数据采集系统使用不灵活和布线困难等缺点,介绍了基于nRF24L01的无线数据传输系统,采用模块化的设计方法,系统通过MSP430单片机控制,由nRF24L01芯片将数据在收发模块间进行传输。该系统的总体结构结合了硬件及软件设计,通过测试结果证明,系统稳定、便捷,在实际应用中有效、可靠。     

方酸染料在离子识别中的研究

作为一种新型的有机功能染料,方酸染料正引起化学界的极大兴趣.由于其特殊的D-A-D结构,方酸染料在可见一近红外区有强烈的吸收和荧光发射,因而越来越多地被应用在离子检测中.本文综述了近期方酸染料化学传感器的发展和应用,分别介绍了方酸染料在阳离子识别和阴离子识别中的分子设计、作用机理及应用,重点综述了方酸染料对汞、铜和锌等...     

N型掺杂应变Ge发光性质

应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于vandeWalle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带间的辐射复合以及俄歇复合、位错等引起的非辐射复合的竞争,计算了N型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质.结果表明,张应变可有效增强Ge材料直接带隙跃迁发光.在1.5%张应变条件下,N型掺杂Ge的最大内量子效率可以达到74.6%,光增益可以与III-V族材料相比拟.     

多路输出单端反激电源的设计

设计了一种基于UC2844的多路输出单端反激电源,给出了该电源的具体设计步骤和详细的设计参数及高频变压器的设计方法。实验结果表明了此方法设计的开关电源可以解决工程中的实际需要,是一种性能良好的开关电源。     

A hybrid functional first-principles study on the band structure of non-strained Ge_(1-x)Sn_x alloys

Using hybrid-functional first-principles calculation combined with the supercell method and band unfolding technique we investigate the band structure of non-strained Ge_(1-x)Sn_x alloys with various Sn concentrations. The calculations show that at the Sn concentration of ～ 3.1 mol% the Ge Sn alloy presents a direct band gap. The variation of the band structure are ascribed to the weaker electro-negativity of Sn atoms and a slight charge transfer from Sn atoms to Ge atoms.     

氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

以SiH₄与H₂为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响. 实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%. 而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3nm/s 增加至0.8nm/s. 关键词： 纳米晶硅薄膜 氢稀释 晶化率 硅烷     

Properties of n-Ge epilayer on Si substrate with in-situ doping technology

The properties of n-Ge epilayer deposited on Si substrate with in-situ doping technology in a cold-wall ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD) system are investigated.The growth temperature of ~500℃ is optimal for the n-Ge growth in our equipment with a phosphorus concentration of ~10~(18)cm~(-3).In the n-Ge epilayer,the depth profile of phosphorus concentration is box-shaped and the tensile strain of 0.12% confirmed by x-ray diffraction measurement is introduced which results in the red shift of the photoluminescence.The enhancements of photoluminescence intensity with the increase of the doping concentration are observed,which is consistent with the modeling of the spontaneous emission spectrum for direct transition of Ge.The results are of significance for guiding the growth of n-Ge epilayer with in-situ doping technology.     

Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展

理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料和器件的研究进展,展望了未来的发展趋势。