玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的制备和铁电性能

采用磁控溅射法制备La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜、sol-gel法制备Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)薄膜,在玻璃和Ti-Al/Si衬底上构架了LSCO/PZT/LSCO电容器,研究了衬底对LSCO/PZT/LSCO电容器结构和铁电性能的影响。研究发现:虽然生长在两种衬底上的PZT薄膜均为钙钛矿结构多晶薄膜,但是,生长在玻璃衬底上的LSCO/PZT/LSCO电容器具有更好的铁电性能。玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度(Pr)为28×10–6C/cm2,矫顽电压(Vc)为0.96V;而硅基LSCO/PZT/LSCO电容器的Pr为25×10–6C/cm2,Vc为1.05V。     

基于DCMP支持的电视台媒体资产管理系统

首先论述了媒体资产管理系统的特点以及建立媒体资产管理系统的必要性,详尽地描述了江阴电视台媒体资产管理系统的体系结构及其核心支撑--DCMP,最后介绍了江阴电视台媒体资产管理系统的软硬件配置和实施方法.     

自己编程制作备忘录

利用Visual Basic.NET6.0编程,制作成一个完整的备忘录程序提醒工具,并且应用于江阴电视台播出部的日常工作中,使播出部日常管理更加规范、有效,实用性非常强。     

退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究

应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Ti-Al/Si (LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550 ℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响.实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6 min的样品具有较好的物理性能.在418 kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22 μC/cm~2和83 kV/cm.LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7 kV/cm时为欧姆导电,高于46.7 kV/cm时为肖特基导电机制.     

基于面向对象技术的软件开发系统

论述了面向对象技术在软件开发方面的特点，介绍了面向对象技术的各种基本概念。以“江阴电视台播出设备信息管理系统”为例，描述了面向对象技术在软件开发中的具体应用。     

面向对象技术在电视台中的应用实践

论述了面向对象技术在软件开发方面的特点以及面向对象技术在软件开发中的优点.以具体实例描述了面向对象技术在软件开发中的具体应用.     

势垒对称性对锆钛酸铅(PZT)薄膜铁电及光伏性能的影响

文章主要研究对称(ITO/PZT/ITO)与非对称(Pt/PZT/ITO)势垒结构对锆钛酸铅(PZT)薄膜铁电及光伏性能的影响.实验发现,势垒对称性差异直接影响材料电滞回线,ITO/PZT/ITO结构的剩余极化强度(Pr)更大,对称性更好,饱和度更高.测试光照与暗态时两种结构Pr的变化,结果显示两种结构的Pr均增大,分析光照时Pr增大的原因,发现两种结构的漏电流在光照时均明显变大,但两种结构的净极化强度(△P)在光照时表现出差异,即对于ITO/PZT/ITO结构光照时△P基本不变,而Pt/PZT/ITO结构光照△P变小.因此得出光照时△P的变化受势垒对称性的影响,但光照时Pr的增大主要源于漏电流的增加而非△P.此外还对两种结构的光伏性能进行了研究,发现势垒的对称性同样影响材料的光伏特性,Pt/PZT/ITO结构的开路电压和短路电流密度明显高于ITO/PZT/ITO结构.     

基于计算机协同工作支持的企业办公自动化

随着计算机、通信技术的飞速发展，计算机支持的协同工作在企业办公自动化中的作用日益突出。目前就国内而言，实现企业办公自动化缺乏一般方法，没有固定模式可循。本文首先描述了计算机协同工作的特点，分析了计算机支持的协同工作在现代企业办公自动化中的应用，给出了企业办公自动化中计算机支持的协同工作的模型，最后以江苏江阴电视台为例给出了该模型的实现方法。     

后退火增强氢化非晶硅钝化效果的研究

在本征氢化非晶硅(a-Si:H(i))/晶体硅(c-Si)/a-Si:H(i)异质结构上溅射ITO时, 发现后退火可大幅增加ITO/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)的少子寿命(从1.7 ms到4 ms). 这一增强效应可能的三个原因是: ITO/a-Si:H(i)界面场效应作用、退火形成的表面反应层影响以及退火对a-Si:H(i)材料本身的优化, 但本文研究结果表明少子寿命增强效应与ITO和表面反应层无关; 对不同沉积温度制备的a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)异质结后退火的研究表明: 较低的沉积温度(<175 ℃)后退火增强效应显著, 而较高的沉积温度(>200 ℃)后退火增强效应不明显, 可以确定“低温长高温后退火”是获得高质量钝化效果的一种有效方式; 采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究不同沉积温度退火前后a-Si:H(i)材料本身的化学键构造, 发现退火后异质结少子寿命大幅提升是由于a-Si:H(i)材料本身的结构优化造成的, 其深层次的本质是通过材料的生长温度和退火温度的优化匹配来控制包括H含量、H键合情况以及Si原子无序性程度等微观因素主导作用的一种竞争性平衡, 对这一平衡点的最佳控制是少子寿命大幅提升的本质原因.     

Control of epitaxial growth at a-Si:H/c-Si heterointerface by the working pressure in PECVD

The epitaxial-Si(epi-Si) growth on the crystalline Si(c-Si) wafer could be tailored by the working pressure in plasmaenhanced chemical vapor deposition(PECVD).It has been systematically confirmed that the epitaxial growth at the hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H)/c-Si interface is suppressed at high pressure(hp) and occurs at low pressure(1p).The hp a-Si:H,as a purely amorphous layer,is incorporated in the 1p-epi-Si/c-Si interface.We find that:(i) the epitaxial growth can also occur at a-Si:H coated c-Si wafer as long as this amorphous layer is thin enough;(ii) with the increase of the inserted hp layer thickness,lp epi-Si at the interface is suppressed,and the fraction of a-Si:H in the thin films increases and that of c-Si decreases,corresponding to the increasing minority carrier lifetime of the sample.Not only the epitaxial results,but also the quality of the thin films at hp also surpasses that at lp,leading to the longer minority carrier lifetime of the hp sample than the lp one although they have the same amorphous phase.