宽带放大器可靠性问题浅析

叙述了国产高频宽带放大器的质量和可靠性现状，详细介绍了这类产品的质量一致性检验、可靠性摸底试验和现场使用过程中出现的可靠性问题，用统计的方法得出了可靠性特征量，通过对失效样品的失效分析，总结出宽带放大器主要的失效模式和失效机理，并提出了消除和减少失效、提高宽带放大器可靠性的措施和建议。     

CMOS／SOSCC4066器件的可靠性研究

本文介绍了CMOS/SOS CC4066器件长期可靠性试验结果。对失效器件的分析表明,硅-蓝宝石技术没有新的失效机理。该器件的可靠性不低于国内体硅MOS IC能达到的水平,并接近“七专”器件的水平。     

利用试验设计方法表征微电路工艺设备

随着现代微电路工艺技术和设备性能的提高，许多工艺涉及6个或更多的工艺条件输入，而且这些工艺条件之间存在更多的交互效应。为了表征设备特性并优化工艺条件，文章利用部分要因试验设计方法安排试验方案，实现了对实际氧化工艺特定设备的表征，建立了氧化膜厚度以及厚度均匀性的工艺模型，可进一步用于工艺条件的优化设计。     

多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究

为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下⁶⁰Co γ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流IB显著增大,而集电极电流IC变化不大;反偏偏置条件下,IB的辐射损伤效应在辐射后更严重;室温退火后,IB有一定程度的持续损伤。多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射对比试验结果表明,多晶硅发射极NPN管的抗辐射性能较好。从器件结构和工艺条件方面,分析了多晶硅发射极NPN管的辐射损伤机理。分析了多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射损伤区别。     

SiGe薄膜材料电阻率与掺杂浓度的关系研究

目前，应变Si1-xGex薄膜材料杂质浓度尚未有准确且简便易行的测试方法。为了快速准确地确定应变Si1-xGex薄膜材料的掺杂浓度，在研究应变Si1-xGex材料多子迁移率模型的基础上，采用Matlab编程模拟仿真，求解并建立了不同Ge组分下应变Si1-xGex薄膜材料掺杂浓度与其电阻率的关系曲线，讨论了轻、重掺杂两种情况下该关系曲线的变化趋势。通过Si1-xGex薄膜材料样品的四探针电阻率测试及电化学C-V掺杂浓度测试的对比实验，对本关系曲线进行了验证。     

衬底电压自举结构的10位120 MS/s SAR ADC

基于采样管衬底电压自举结构,提出了一种高线性低阻抗采样开关技术。在保证采样开关等效输入阻抗较小的同时,实现了采样开关的源/漏极与衬底之间的寄生电容不随输入信号幅度的变化而变化;减小了动态比较器输入管的等效导通电阻,提高了动态比较器输入管的跨导,解决了动态比较器的速度与噪声折中的难题。基于65 nm CMOS工艺,设计了一种10位120 MS/s SAR ADC。在1 V电源电压下,功耗为1.2 mW,信号噪声失真比SNDR> 55 dB,无杂散动态范围SFDR> 68 dB,在奈奎斯特采样情况下,优值(FoM)为22 fJ/(conv·step)。     

高性能低功耗SAR A/D转换器技术发展动态

基于国际公开发表的逐次逼近型A/D转换器(SAR ADC)技术论文,总结了不同架构下高性能SAR结构A/D转换器的技术特点。分析了SAR ADC中主要模块的关键技术,包括高速高线性采样开关技术、高速低功耗比较器技术、高速旁路SAR逻辑技术,以及相关技术在电路级实现时需要考虑的因素。针对SAR ADC的主要模块,介绍了近年来新技术的改进方法。这些高性能低功耗SAR ADC新技术及发展动态的综述对设计者可提供有益的帮助。     

特种器件厚外延前后图形转移方法研究

提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法.通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5 μm.该方法可广泛应用于带埋层的VDMOS、超结VDMOS、高压互补双极器件,以及高压BCD器件的投影光刻.     

半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型

加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一.针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础.介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加速应力模型,给出了这些模型的适用条件.