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介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能,给出了薄膜器件的发展水平和制膜技术、制膜设备的研究现状。 相似文献
3.
为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 13 相似文献
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研制了两幅激光差分干涉诊断系统,可在一次实验中获得两幅间隔3~12 ns的高分辨干涉图像。该系统采用分光延时装置产生两束有一定夹角和时间间隔的探测激光脉冲,采用特殊的偏轴4f传像系统在同一块CCD的不同区域产生两幅干涉图像。应用该系统开展了铝丝阵Z箍缩激光干涉诊断实验,获得了丝膨胀和消融、晕等离子体产生和发展、以及先驱等离子体产生和发展等Z箍缩演化过程的实验图像,并给出了Z箍缩早期阶段的等离子体电子密度分布。 相似文献
6.
轻气炮弹丸在膛内的速度、加速度及弹底压力是轻气炮及发射系统设计的关键参数,实验测量这些参数对完善内弹道理论、研究新型轻气炮以及对常规武器进行校验等有着非常重要的指导意义。 相似文献
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8.
在200 keV重离子加速器上,用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469 cm-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降,同时在1300—1700 cm-1范围出现非晶碳峰,并逐渐增强,最终完全非晶化.而且1469 cm-1拉曼峰的强度及C60薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关.进一步的分析表明,C60分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成,与电子能量转移无关.H离子注入C60薄膜后,1469 cm-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽,这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C60分子发生聚合的结果.
关键词: 相似文献
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10.
以激光驱动飞片速度场诊断为例,展示线面同时成像任意反射面速度干涉仪(VISAR)技术在超高速碰撞研究中的应用前景。将传统VISAR改为成像干涉结构,用变像管扫描相机和高速光电分幅相机分别记录作为信号载体的梳状干涉条纹随时间的变化,实现靶面一条线上各点速度历程和多个时刻二维靶面上所有点速度相对分布的测量。所研制的线面同时成像VISAR具有10 m的空间分辨和约15 m/s的速度分辨能力。用其测量了激光驱动铝膜飞片的速度场,直观给出飞片的演化发展过程。实验结果表明,线面同时成像VISAR技术可以为激光驱动飞片、超高速碰撞等领域的理论研究和数值模拟提供有效比对实验数据。 相似文献