半导体发光材料的新应用——视觉敏感GaAsP光敏二极管

本文讨论了半导体发光材料的新应用—ＧａＡｓＰ视觉敏感光敏二极管。这是在ｎ—ＧａＡｓＰ上制作浅结的光敏二极管，通过对研组份值、结深的控制，器件的｜△ＥＶ｜≤０．１，这意味着器件的光谱响应十分接近于人眼，其暗电流小于０．２ｐＡ／ｍｍ２，灵敏度为０．８μＡ／ｍｍ２。该光敏二极管已成功地应用于高级自动电子相机中。     

用面垒探测器测定n型硅中少数载流子的扩散长度

当α粒子穿入Au-Si面垒探测器的扩散区时,其产生的非平衡少数载流于扩散到势垒边界而被收集,因此在探测器两端有一输出脉冲。本文从理论上计算了扩散区中的收集效率,获得了收集效率和扩散长度的函数关系。另外将实验上测定的收集效率与理论加以比较,从而确定少数载流子的扩散长度。 关键词：     

高亮度GaAlAs LED芯片的研制

本文对高亮度GaAlAs LED芯片和外延片的研制原理和工艺进行了研究。实验是在全自动液相外延炉上进行,选用1～1.7℃/min的降温速率,生长了25～30μm的P-Ga_(0.65)Al_(0.35)As和12～15μm的N-Ga_(0.35)Al_(0.65)As外延层;采用微合金工艺制作欧姆接触电极。结果获得GaAlAs LED芯片的性能达到I_v=5.8mcd、V_F=1.74V(I_F=20mA),λ_p=665nm。