红外焦平面成像器件的重大应用

红外探测器技术在20世纪90年代取得了飞速发展。对红外焦平面列阵器件在各种重大国家安全项目例如弹道导弹防御计划、重要新型武器系统及高级空间计划中的应用作一简要介绍。     

碲镉汞晶体组分定量分析和评价的电子探针方法

本文介绍我们在国产电子探针基础上建立的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体组分测定和评价的规范。几年来应用于大量样品的例行测试中,达到了快速准确的要求。实验方法。所用仪器为DX-3A型扫描电镜,附有波长分散型X射线谱仪。电子束加速电压为25kV。X射线取出角为30°。样品吸收电流为50nA。用CdTe作为标准样品。采     

64×64元InSb光伏红外探测器列阵性能表征

用改进的恒压微探针方法,对64×64元 InSb 凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价.测得典型64×64元 InSb 芯片的探测器平均零偏阻抗为42MΩ(90K),非均匀性为20%;平均1000K黑体响应率为2.8A/W,非均匀性为6.3%;电学串音率＜2%.讨论了性能异常芯片上存在的局部电学串音现象.     

红外焦平面成像器件发展现状

红外焦平面列阵成像技术已经进入了成熟期。本文对几种红外焦平面列阵器件如MCT、InSb和QWIP的最新进展作一评述,简要介绍其器件发展水平、技术路线和关键工艺。简要提及一种新颖的非制冷焦平面成像技术：光学读出微光机红外接收器。     

用电子束感生电压方法研究碲镉汞光二极管

本文报道用电子束感生电压方法观察碲镉汞光二极管光敏区响应分布,直接显示p-n结耗尽区位置的实验结果。在p型碲镉汞上制成了肖特基势垒二极管。用它测量了碲镉汞的少数载流子扩散长度。     

Hg_(1-x)Cd_xTe材料的EB1V研究

扫描电镜的电子束感生电压技术(SEM-EBIV)是研究半导体材料的有效手段,可以直观地显示材料中存在的势垒区。对N-Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te材料作适当的表面处理后,我们用蒸发的方法在材料表面淀积一层金属Pt,以形成M-S整流接触;把In直接焊到金属膜上作为电极。在国产DX-3A型扫描电镜上,采用EBIV技术在温度100K对这种结构进行了研究。直接观察到在金属膜周围     

单板计算机在DX—3A扫描电镜上的应用

DBJ—Z80单板机用于国产DX—3A扫描电镜的X光谱仪上,可实现某些测量工作的程序控制并进行简单的数据处理。文中给出了硬件接口与外围电路及软件框图。     

InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究

用Co60作γ辐照源对InSb光伏二极管列阵和InSb凝视红外焦平面器件进行了高能辐照损伤实验。在5000rad剂量下观测到二极管优值因子RoA下降了一个数量级,从3.6×105～4.3×105??cm2下降到2.5×104～2.7×104??cm2。在10000rad及以上剂量观测到64×64元凝视焦平面热成像性能的显著退化。     

InSb凝视红外焦平面组件研制和应用

研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%,无效像元率约 0 .5 %。其性能参数满足红外成像制导的技术要求 ,已成功进行了凝视红外成像探测系统外场试验。     

用EBIC测量InSb多元探测器少子扩散长度

用DX-3A型扫描电镜,在100K采用EBIC技术确定了InSb多元探测器N型基底的空穴扩散长度。实验结果与Artz的EBIC模型拟合很好。根据实验得出少子扩散长度值,并讨论了少子扩散长度对光敏元间距的限制。