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过流保护器要求芯片尺寸为φ5mm×2.2mm,电阻值为15?,耐电压AC330V。采用液相施主掺杂和添加钙等方法优化配方制成PTCR材料。经复阻抗谱、SEM及XRD等测试分析表明,材料的微观结构得到了明显改善,PTC性能得以提高。当x(Mn(NO3)2)为0.47%时,材料的居里点为70℃、室温电阻率为14?·cm、温度系数为11.5%℃–1、耐压强度大于165V/mm。 相似文献
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阐述通信设备过流保护用PTC器件、电机过热保护用PTC器件的设计原理、工作特点、技术性能及有关技术标准。指标有关PTC材料制造中的技术关键。 相似文献
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塑封器件失效机理及其快速评估技术研究 总被引:4,自引:3,他引:1
针对影响塑封器件可靠性的五种失效机理,即腐蚀失效、爆米花效应、低温/温冲失效、闩锁以及工艺缺陷等方面进行分析和讨论,并提出利用高温潮热和温度冲击试验对塑封器件的可靠性进行评估.还介绍了美国航天局Goddard空间飞行中心提出的对塑封器件进行高可靠性筛选的方案. 相似文献
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PTC陶瓷限流元件耐流性能研究 总被引:2,自引:1,他引:1
研究程控电话交换机过流保护用PTC陶瓷限流元件经受大的工频电流冲击的能力与材料电阻率、居里温度及温度系数等参数的关系,提出解决该课题的工艺控制和配料上值得注意的问题 相似文献
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Nb取代对Ba_3Nd_3Ti_(10-n)Nb_nO_(27.5+n/2)瓷介电性能和结构的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
以Ba3Nd3Ti10O30为基,通过不同量的Nb取代实验,探讨Nb取代对Ba3Nd3Ti10-nNbnO27.5+n/2瓷(n=0~10 mol)(简称BNTN)介电性能和结构的影响。实验结果表明,Nb取代使其e显著提高,并改变ae与频率特性。XRD、SEM结构分析可知,主晶相为非填满型钨青铜结构四方晶相。Nb取代产生VA2(Ba)缺位,缺陷结构有利于电子、离子位移极化的发生,晶相极化率增大。显然Nb取代引起这种结构变化是e显著提高的主要机制。 相似文献
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