SOS膜的铝自掺杂剖面

用SIMS技术对表面覆盖金的SOS片进行了铝自掺杂剖面研究.结果表明,不同工艺对SOS膜的铝自掺杂剖面曲线影响很大.背面封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线十分陡削,过渡层厚度为450-750A;背面不封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线不陡削,过渡层厚度为1200-1800A.同时,在过渡层以外背面不封闭的 SOS片中的铝杂质含量比背面封闭的 SOS片高很多.讨论了自掺杂形成的原因并对上述实验结果提出了解释.     

稀土元素在高速钢晶界偏聚的研究

材料的晶界状态对材料的性能有很大的影响,元素在晶界偏聚对材料性质的影响是冶金和材料科学的重要课题。合金元素和杂质元素在晶界偏聚,使晶界的化学成分发生变化,影响晶界移动、晶粒长大、元素沿晶界扩散、沿晶界的破断等现象,从而影响材料的机械性质、化学性质以及电学性质等。溶解在铁中的铈因原子半径远大于铁而产生较大的点阵畸变能,这将促使它们偏聚在晶界上。我们曾指出,铈和镧能够使硫的偏聚减