首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   16篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
力学   2篇
无线电   16篇
  2014年   2篇
  2011年   5篇
  2010年   3篇
  2009年   2篇
  2008年   2篇
  2007年   1篇
  1999年   1篇
  1998年   2篇
排序方式: 共有18条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
在XC4000系列FPGA中,每个CLB的两个四输入查找表都可以被配置成随机存取存储器(RAM),RAM可以为FPGA提供存储大量数据的能力,因此,对RAM的测试是FPGA完备性测试必不可少的部分.根据RAM的结构和功能,提出一种有效的测试方法,并以XC4010E-PQ160为例,使用SOC软硬件协同验证平台,证明两次配置就可以完成对RAM的全覆盖可定位测试.  相似文献   
2.
从制造的角度来讲,FPGA测试是指对FPGA器件内部的逻辑块、可编程互联线、输入输出块等资源的检测.完整的FPG A测试包括两步,一是配置FPGA,然后是测试FPGA,配置FPGA是指将FPGA通过将配置数据下载编程使其内部的待测资源连接成一定的结构,在尽可能少的配置次数下保证FPGA内部资源的测试覆盖率,配置数据称为TC,配置FPGA的这部分时间在整个测试流程占很大比例;测试FPG A则是指对待测FPGA施加设计好的测试激励并回收激励,测试激励称为TS.  相似文献   
3.
微机械框架陀螺仪的动力学分析   总被引:1,自引:1,他引:1  
本文根据欧拉动力学方程导出微机械框架陀螺仪的动力学方程,给出陀螺仪的运动规律,并探讨惯性质量对测量灵敏度的影响。  相似文献   
4.
本文提出了一种使用FPGA作为硬件加速器,并且在FPGA与计算机之间建立了软硬件同步的基础上,实现了一种基于事务级的验证系统.该系统完全兼容SCE-MI标准.通过实验表明该系统适用于数模混合SOC系统的验证.1、引言在对系统验证方法研究的过程中,人们希望能够得到像模块验证一样的时钟精度,同时系统验证时间又希望很短.事务...  相似文献   
5.
FPGA的生产测试是FPGA设计中非常重要的环节,不仅要求能够检测芯片是否发生故障,还必须进行精确的故障定位,以便设计人员对设计故障和工艺故障进行改进。依靠将CLB输出级联的方式进行故障定位,往往使测试激励在时序设计上变得更加复杂。灵活利用CLB周围的三态门资源,可以对FPGA逻辑故障进行快速准确的定位,且测试激励简洁。  相似文献   
6.
集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表明,这种工艺条件可制备性能良好的铁电电容,符合铁电存储器对铁电电容的要求。  相似文献   
7.
硅微机械陀螺接口检测技术的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了微陀螺的电容变化率为10^7-10^-8时的微弱输出信号的检测技术,这是微机械器件研制中具有普遍性的技术难点。在研究检测微小电容变化量的积分电路的基础上,进一步采用了可抑制低频噪声和漂移的相关双采样技术,以及抑制由开关电荷注入引起的误差的技术。  相似文献   
8.
硅微机械陀螺仪的新进展及其方案分析   总被引:8,自引:0,他引:8  
介绍了国外硅微机械陀螺仪的新进展,综述了梳状驱动振动陀螺仪、压电棒式振动陀螺仪、电磁驱动音叉陀螺仪、振环陀螺仪、静电悬浮转于陀螺仗和微机械加速度计陀螺仪的结构、原理及性能。关键词  相似文献   
9.
设计并验证了一款高动态范围、多种可选功能的32×32红外读出电路。电路在30μm×30μm像元面积内集成了CTIA积分器、采保电路、缓冲器、反饱和功能等,实现了快照式读出。通过积分电容可选,积分时间可从1μs调至33ms(以30Hz帧频计算)的工作方式,有效地扩大系统动态范围,使其具备高低背景工作能力。基于格雷码原理设计的控制电路,实现了动态窗口读出,图像翻转,1、2、4路输出等可选功能。所设计的读出电路采用华虹NEC0.35μmCMOS工艺成功流片,验证了设计的正确性。测试结果表明,电路采用4路输出时,帧频能达到16kFrames/sec,可应用于红外制导领域。  相似文献   
10.
在磁控溅射法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜的基础上,结合半导体工艺制备了金属/铁电/金属/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的铁电场效应晶体管。器件的顺时针电容-电压(C-V)特性曲线和逆时针漏电流-栅电压(Id-Vg)特性曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应和极化存储性能,且在-5~ 5 V的电压下存储窗口为2 V。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号