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报道了KDP晶体中的三倍频产生的实验研究,计算了比较了直接三倍频过程和级联过程对KDP晶体三阶有效非线性系数的贡献,并探讨了KDP作为非线性晶体材料三阶非线性系数测量基准的可行性。 相似文献
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对polySi/SiO_2/Si结构上的共溅射 Ta +xSi 薄层未经退火处理在1000℃/30'条件下进行直接湿氧氧化,经AES和X衍射检测分析,得知氧化后的结构为SiO_2/Ta_5Si_3/TaSi_2/PolySi/SiO_2/Si,其中,Ta_5Si_3相为四角晶系,晶格常数为:α_0= 6.516A,c_0=11.873A.Ta_5Si_3相的出现,对多层结构的稳定性及电导特性有不利影响.从实验证实在较高温度下氧化Ta_5Si_3不会出现,如在1100℃/30'条件下进行直接湿氧氧化,检测结果表明没有Ta_5Si_3相.已经形成的Ta_5Si_3在适当条件下经热处理会消失. 相似文献
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利用直观推断法(heuristc)讨论了离散效应在高斯光束第Ⅱ类相位匹配(PM)二次谐波振荡(SHG)过程中的影响,导出了适用于任意离散参量B和聚焦参量ξ的高斯光束第Ⅱ类PMSHG转换效率的孔径积分公式. 相似文献
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<正>党的二十大报告提出,加快建设网络强国、数字中国,推动战略性新兴产业融合集群发展,构建新一代信息技术、人工智能、生物技术、新能源、新材料、高端装备、绿色环保等一批新的增长引擎。加快发展数字经济,促进数字经济和实体经济深度融合,打造具有国际竞争力的数字产业集群。中国移动全面落实立足新时代新征程国资央企工作的总目标、总原则、总要求,打造新质生产力,全面推进数智化转型、 相似文献
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提出了基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近效应修正模型校准方法,其考虑了一维和二维图形之间光刻胶有效扩散长度的不同. 该方法的一个重要步骤在于建立起全新的校准流程,使得一维图形和二维图形具有相同的光学参数和不同的光刻胶有效扩散长度. 另外,在该模型校准流程中提出了一种基于可制造性设计理念的交互. 从校准结果的关键尺寸误差及仿真轮廓和扫描电子显微镜图像的对比来看,基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近效应修正模型校准方法的输出模型更加精确和稳定. 相似文献
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