首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
无线电   7篇
  2010年   1篇
  2009年   2篇
  2008年   2篇
  2007年   2篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
聚合物结构对PDLC性能的影响   总被引:2,自引:6,他引:2  
用光聚合诱导相分离法制备了3种不同聚合物基体的聚合物分散液晶(PDLC)膜,研究了液晶含量和固化时间对PDLC透光率及膜形态的影响,考察了不同聚合物基体对PDLC电光性能的影响。结果表明,聚合物单体反应活性越高,达到关态下最低透过率所需的固化时间越短,丙烯酸仅需10 s,而甲基丙烯酸甲酯却需360 s;聚合物与液晶颗粒之间的相互作用越强,PDLC膜的阈值电压越高,丙烯酸的阈值电压至少是其他两者的5倍。  相似文献   
2.
表面活性剂对聚合物分散液晶光电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了调控聚合物分散液晶(PDLC)中聚合物基体和液晶微滴的界面作用,降低锚定能,以聚丙烯酸甲酯(PMA)为基体,E7为分散相,并加入了不同含量的硬脂酸(SA)表面活性剂,采用聚合物诱导相分离法制备了PDLC,并对PDLC的光电性能进行了测试。研究发现,PDLC的电光性能随着SA含量的增加而改善,但当SA的含量达到一定值后,液晶微滴出现"岛聚"现象,光电曲线出现一个转折点。实验结果表明,表面活性剂可以调控聚合物和液晶微滴的界面作用,降低锚定能,从而改善PDLC的光电性能。  相似文献   
3.
罗小蓉  张伟  张波  李肇基  阎斌  杨寿国 《半导体学报》2008,29(10):1902-1906
提出非均匀厚度漂移区SOl高压器件新结构及其优化设计方法.非均匀厚度漂移区调制SOI层的电场并增强埋层电场,从而 提高器件击穿电压.考虑到这种调制效应.提出解析模型用以优化设计该新器件的结构参数.借助解析模型,研究了电场分布和器件击穿电压与结构参数的关系.数值仿真'证实了解析模型的正确性.具有3阶梯的非均匀厚度漂移区SOl器件耐压为常规结构SOl器件的2倍,且保持较低的导通电阻.  相似文献   
4.
罗小蓉  张伟  张波  李肇基  阎斌  杨寿国 《半导体学报》2008,29(10):1902-1906
提出非均匀厚度漂移区SOI高压器件新结构及其优化设计方法. 非均匀厚度漂移区调制SOI层的电场并增强埋层电场,从而提高器件击穿电压. 考虑到这种调制效应,提出解析模型用以优化设计该新器件的结构参数. 借助解析模型,研究了电场分布和器件击穿电压与结构参数的关系. 数值仿真证实了解析模型的正确性. 具有3阶梯的非均匀厚度漂移区SOI器件耐压为常规结构SOI器件的2倍,且保持较低的导通电阻.  相似文献   
5.
大分子光引发剂及固化时间对PDLC膜光电性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
聚合物分散液晶膜(PDLC)是将液晶和聚合物混合得到的一种综合性能优异的膜材料.聚合物作为成膜材料,其固化过程是影响聚合物分散液晶膜电光特性的重要因素.实验采用原子转移自由基聚合法制备活性大分子引发剂,引发可聚合单体进行聚合,通过光引发聚合诱导相分离法制备PDLC膜.研究表明:采用该方法可以极大地改善PDLC的光电性能,并且通过改变固化时间可以调节PDLC的各项光电性能,随着固化时间的增加,PDLC阈值电压(Vth)、饱和电压(Vsat)都随之增加,膜关态透光率(TOFF)、开态透光率(TON)随之降低.  相似文献   
6.
聚合物分散液晶(PDLC)的形貌对其电光性能有着极其重要的影响,通过控制固化条件实现对PDLC形貌的调控有着重要的实用价值.采用可逆加成-断裂链转移自由基(RAFT)聚合法制备了PDLC,研究了低玻璃化转变温度的大分子RAFT试剂聚丙烯酸丁酯(RAFT-PBA)含量和固化时间对PDLC形貌及关态透光率的影响.结果表明,随着固化时间的延长,PDLC关态透光率降低,最后趋于不变.液晶微滴尺寸随RAFT-PBA含量增加而逐渐增大,当其含量为15%时,PDLC的关态透光率最低.  相似文献   
7.
聚合物网络液晶电光性能的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
聚合物网络织构对液晶分子的稳定作用决定了聚合物网络液晶(PNLC)的电光性能。实验采用可逆加成-断裂链转移自由基(RAFT)聚合,通过改变RAFT试剂(RAFT-PS)含量来调节聚合物网络织构,实现对PNLC电光性能的控制。结果表明,随着RAFT-PS含量由10%增加到40%,聚合物网络孔径变大,液晶畴区面积增加,畴区数量减少,阈值电压(Vth)下降了52.8%,饱和电压(Vs)下降了37.7%,显著地改善了PNLC的电光性能。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号