铁电随机存储器的研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器．以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题，并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。     

导电高分子固体铝电解电容器的研究

研制了一种被称为导电高分子固体铝电解电容器的新型电子元件。由于用化学聚合方法在电容器介质膜Al2O3表面形成导电聚吡咯(Polypyrrole)膜,作为电容器的阴极而取代传统的工作电解液阴极,因此新型电容器具有可靠性高,高频低阻抗,易于片式化等优点。研制的电容器的性能指标为:额定工作电压DC 6.3~16 V, 电容量范围2.2~33 mF,损耗角正切tgd≤0.06(120 Hz,+20℃),漏电流IL≤0.04 CV (或3 mA取大值),并具有良好的温度特性和频率阻抗特性。