InP中和C带有关深能级的近红外光致发光

本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式生长的InP外延层和掺Sn与不掺杂的衬底中,且与P空位引起的复合缺陷有关。 通过红外光致发光强度对温度的依赖关系得到C带的热激活能为0.17eV。这刚好与采用σ函数来描述深能级的Locovsky模型相吻合,光谱线型与温度猝灭的量子力学位形坐标模型拟合,得到与C带有关的深能级hv=0.02eV,S=8。     

零偏压光激发瞬态电流谱及电子空穴陷阱的判断

<正> 光激发瞬态电流谱(OTCS或PITS)已被广泛用于半绝缘半导体材料中的深能级研究,但仍存在一些待解决的问题。本文分析了Martin等提出的陷阱类型判断方法中可能存在的不确定性,提出用零偏压光激发瞬态电流谱(ZBOTCS)中峰的正、负来判断陷阱的类型,并对正峰和负峰的成因进行了讨论。实验中所用的样品是GaAs:Cr,电极为烧结(?)电极或半透金膜,光源为He-Ne激光器或经单色仪获得的单色光,信号由Boxcar采样收集。     

掺锰磷化铟中1.18eV辐射的施主受主对辐射性质的研究

通过对掺锰磷化铟的1.18eV辐射的频率响应谱(FRS)及辐射峰随激发强度的位移的研究得到了明确的证据,确认这个光致发光辐射的施主受主对(DAP)复合的性质。一个和Mn2+相关的复合跃迁过程被提出用以解释有关的实验结果。     

光测磁共振及其在研究Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的应用

光测磁共振技术是一种研究半导体中的杂质缺陷的有效工具,它可以提供有关杂质缺陷的电子结构及与辐射复合过程的关系的信息。这篇文章对光测磁共振的原理和技术进行了讨论,着重评述了最近几年来新的认识和进展。对光测磁共振技术在Ⅲ-V族半导体材料的辐射过程的研究中的应用也进行了评述,比较详细地介绍了对l_np:M_n及G_ap:O的研究工作。     

SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜与SnO_2单层薄膜特性差异的研究

用等离子体化学气相淀积法制备的SnO_2/Fe_2O_3多层膜的一些电学特性和气敏特性不同于SnO_2单层膜.当SnO_2层的沉积时间很短时,多层膜在空气中及在敏感气氛中的电导随沉积时间的增加而下降.多层膜的响应及恢复时间也呈现一些反常的变化.本文提出一个包括过渡层在内的模型用以解释这些现象.过渡层可在沉积过程中产生,存在于SnO_2与Fe_2O_3界面附近,其厚度达30nm数量级.