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文章首先分析了低电压对于低功耗CMOS∑-△调制器设计提出的挑战，使用了自顶向下的设计策略，利用Hapiee和Simulink对开关电客放大器和开关电路非理想特性建模．通过Matlab优化低功耗结构的运算放大器电路参数，最后给出了系统仿真结果。仿真结果显示。使用0．18μm 2p6m CMOS工艺设计的∑-△调制器在1．5V低电源电压条件下，信号带宽为200KHz，峰值信噪比达到93．5dB，动态范围为96．3dB，满足了GSM／PCSl800／DCSl900等无线应用的要求。 相似文献
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文章首先分析了低电压对于低功耗CMOSΣ-"调制器设计提出的挑战,使用了自顶向下的设计策略,利用Hspice和Simulink对开关电容放大器和开关电路非理想特性建模,通过Matlab优化低功耗结构的运算放大器电路参数,最后给出了系统仿真结果。仿真结果显示,使用0.18#m2p6mCMOS工艺设计的Σ-"调制器在1.5V低电源电压条件下,信号带宽为200KHz,峰值信噪比达到93.5dB,动态范围为96.3dB,满足了GSM/PCS1800/DCS1900等无线应用的要求。 相似文献
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