超导／半导兼容材料的制作及性能分析

介绍了几种结构合理的超导／半导兼容材料的制作技术及其测试结果，重点讨论了超导体（ＹＢＣＯ）与半导体（Ｓｉ，ＣａＡｓ）间缓冲层的选取，并对这几种复合材料的性能作了较详细的分析。     

YSZ／Si上溅射BSCCO高温超导薄膜的工艺参数优化

本文研究了利用ＹＳＺ膜作缓冲层Ｓｉ衬底上溅射ＢＳＣＣＯ高温超导薄膜的生长工艺，分析了生长条件对Ｂｓｃｃｏ高温超导相的影响，并提出了ＹＳＺ／Ｓｉ上制备相ＢＳＣＣＯ膜的工艺参数。     

SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究

研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果。     

SiGe异质结双极晶体管的基区优化

对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化.研究发现,器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感.采用重掺杂基区,适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布,可以有效地改进SiGe HBT的直流特性,同时能够提高器件的特征频率.晶体管主要性能的提高使SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域得到更加广泛的应用.     

YSZ／Si上溅射BSCCO超导膜的生长机理分析

本研究了利用ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层在Ｓｉ衬底上单靶偏轴溅射Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ高温超导薄膜的工艺条件，给出了ＹＳＺ和ＢＳＣＣＯ薄膜的性能测试结果，并根据电镜分析结果，提出了ＢＳＣＣＯ薄膜的螺旋柱状生长机理。     

SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型

给出了一个适用于分析SiGe基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型,并利用该模型分析了基区掺杂和组分均级变的SiGe异质结晶体管的电流增益、截止频率、最高振荡频率。模型中考虑了由于基区重掺杂和Ge的掺入引起的禁带窄变效应、载流子速度饱和效应。解析模型的计算结果与实验的对比证实了本模型可适用于器件的优化设计和电路的模拟。     

一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件特性研究

对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结构上和制作工艺上进行了优化,得到性能与业界可比的三种不同耐压水平的器件(高速器件、标准器件和高压器件),并且成功地被应用于光通讯和射频功放等商业产品中。     

锗硅BiCMOS中的低成本、高性能PNP器件设计与制备

设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管。在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能。晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10GHz,满足高速电路设计的要求。     

非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管

介绍了在0.18 μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的“L形”二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区.该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压...     

采用增强P阱和双层外延来抑制寄生双极型晶体管效应的高可靠性RF-LDMOS设计

近20年来,横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS）技术在无线通信基站应用中占据着主导性优势,器件鲁棒性是射频LDMOS最为重要的要求之一,因为器件被使用于非常严酷的电气及发热的环境之中。本文研究了一种采用增强P阱和双层外延来抑制寄生双极型晶体管效应的RF-LDMOS器件,在改善鲁棒性的同时保持器件在高频应用下的高性能。基于此设计,采用基于0.35um CMOS的工艺技术制造了一种应用于全球移动通信系统（GSM）的RF LDMOS器件。实验结果表明,该器件实现击穿电压高于70V,输出功率180W,线性增益高于20dB,在920MHz频率下的附加功率效率高于70%,尤其这个器件能够通过在32V直流供电,功率输出在10-dB压缩点及电压驻波比20:1负载失配条件下的测试,与传统器件结构相比,器件的鲁棒性得到显著的提高。