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介绍了端部离子源的工作原理,分析了SiC功率器件金属膜层脱落的原因,针对SiC器件金属膜层脱落问题,提出了一种表征金属膜层结合牢固度的方法。采用端部离子源对金属膜层进行碳清除实验,发现当Si O2介质清铣厚度超过10 nm时,金属膜层结合牢固度可靠,可满足工艺需求。 相似文献
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