高成品率砷化镓DPDT单片射频开关

采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga As单片电路成品率的最高水平     

一种超低插损砷化镓射频开关

报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V)     

Si^＋注入GaAs及其退火中SiO2包封的作用

对Ｓｉ＾＋注入ＧａＡｓ的前后及其退火的前后用和不用ＳｉＯ２包封进行了对比实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率;在包封退火的情况下,光片注入的要比贯穿注入的载流子分布窄。所以,光片注入后包封退火较实用,它使载流子分布窄,激活率高。     

GaAs MESFET的热电子应力退化

进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5．5≤VGS≤-4V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化。退化模式主要表现为饱和漏电流如s减小,跨导gn减小,夹断电压Vp增大,击穿电压增大。从微波性能方面来看,热电子效应器件的输出功率增益大幅度下降。退化机理主要是栅漏区表面及栅边缘俘获负电荷。     

功率平衡基础上的基波分析法

在非线性网络的适当端口施加正弦电压源U_s.用基波平衡原理求得注入网络的基波电流i_s1.当i_s1=0时,正弦电压源的频率和幅值被称为基波解.如果能求出n个基波解,则原网络必然也对应的存在有n个周期解.如果基波解不存在,则原网络的周期解也不存在.以考比兹电路为例,说明虚功平衡和周期振荡的密切关系,以蔡氏电路为例,用基波平衡原理说明混沌振荡的性状.结论的普遍性可以推广到三阶非线性微分方程.其正确性可以用SIMULINK仿真验证.     

手机用GaAs SPDT开关的全离子注入技术

对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良。     

手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析

采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括:材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等.优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右,微波成品率稳定在80%左右,接近国际上砷化镓标准加工线的水平.     

手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析

采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括:材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等.优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右,微波成品率稳定在80%左右,接近国际上砷化镓标准加工线的水平.     

纳米科学导致下一次工业革命

在 2 0世纪的最后 1 0年 ,一门崭新的学科——纳米科学诞生了。中国电子学会为进一步推动和交流我国纳米技术的研究与开发成果 ,于 2 0 0 0年 1 1月 2 7日至 1 2月 1日 ,在厦门召开“第一届全国纳米技术与应用学术会议”。与会者超过一百人 ,论文近百篇 ,除特邀报告外 ,分成纳米电子学与纳米器件 ;纳米材料与纳米结构 ;微电子机械系统 (MEMS) ;纳米加工与测量技术 ;纳米科学技术的基础研究等五个部分 ,进行分组宣读和讨论。会议共评选出了 1 3篇优秀论文。会议气氛热烈 ,与会者除来自高校和研究所外 ,还有很多厂家及多个著名上市公司前来…     

GaAs MMIC的MIM电容Si3N4介质的TDDB评价

运用TDDB理论,研究分析了G aA s MM IC的M IM氮化硅电容的导电特性和击穿特性,设计制作了三种对比分析的G aA s MM IC的M IM氮化硅电容结构,通过不同斜率的斜坡电压对氮化硅介质进行了可靠性评价,S i3N4M IM电容的可靠性与其面积和周长密切相关,介质缺陷是导致电容失效的主要因素。通过不同斜率的斜坡电压获得电场加速因子(γ)预计了10 V工作电压下的S i3N4介质层的寿命。