X441对数放大器的原理及其应用

本文主要介绍X441单片对数放大器的基本原理和应用,并列举了一些具体应用电路。     

用5微米工艺设备加工1～2微米窄条的光刻技术

本文介绍了利用现有5μm工艺设备进行1～2μm窄条的光刻技术,着重对光刻SiO_2窄条和金属连线方面作了具体的介绍。对优化的“发射区两次错位光刻”和“多晶发射极自对准”工艺技术作了较详细的叙述。     

RHX36等双极型集成电路抗核加固的一些措施

本文根据RHX36、RHX37等IC的抗核加固器件,以抗中子和γ射线为主,采取提高IC设计余量,使电路增益在较宽的范围内都不致于影响IC的性能。在工艺中,依据不同IC,分别采取pn结和介质隔离,金属膜电阻,浅结扩散和缩小发射区周长等办法,从而使RHX36、RHX37等电路均能承受两次中子辐照(9.47×10~(13)/cm~2和9.65×10~(13)/cm~2)。     

一种新的V形槽腐蚀方法

本文介绍一种新的V形槽腐蚀方法。这种方法是在原KOH腐蚀剂的基础上,增加异丙醇,乙醇等缓冲剂和严格温度控制,获得良好的V形槽,电路芯片面积可以进一步减小。同时,为了便于磨抛,在电路划片间距内增设磨抛标志,保证单晶层厚度和质量。     

三种钝化膜的比较与分析

本文简述了集成电路中常用的聚酰亚胺、磷蒸汽处理SiO_2覆盖、SiO_2和Si_3N_4混合膜三种表面钝化工艺,并对其特征作了一些分析。提出了根据集成电路的性能要求和所选择后工序的条件,恰当地选择一种钝化膜的方法和原则。     

PtSi接触合金化的一种方法

在制作X35电路系列中,发现PtSi接触合金化是Al/Ti/PtSi/Si欧姆接触的关键。光刻双电极孔,完成Pt溅射之后,在H_2N_2混合气中,采用三种温度(200～300～550℃)一次热处理合金化,不但促进PtSi的形成,而且大大改善了其上面薄氧化层的质量,从而可以得到良好的欧姆接触,提高了电路的成品率和参数。     

OSR

OSR是东字应化公司,根据日本高分子纤维材料研究新创造的一种新的合成方法,在此方法的基础上生产的一种产品,OSR是一种负性光刻胶,是有一般类型从来没有获得的优良特性,那就是OSR含有一种不感光聚合基(如象CH_2=CH—)和一种感光聚合基(如中—CH=CHGO—)而后者保持完整。