在硅微尖上生长金刚石膜的研究

利用微波等离子体方法在硅微尖阵列上生长了金刚石膜，并利用SEM和X射线衍射对金刚石膜进行了研究．     

制备多孔硅的一种新方法

自从Canham观察到多孔硅(PS)的可见光致发光后,由于其可望成为可与Ⅲ—Ⅴ族半导体材料相媲美的新型光电子材料而引起了科学界极大的兴趣.目前,制备多孔硅一般都采用电化学腐蚀方法.     

微乳-水热法制备具有自清洁功能的TiO2薄膜

采用热陈化微乳液及浸渍-提拉技术,制备了具有自清洁功能的TiO2薄膜。 考察了微乳液中表面活性剂十二烷基苯磺酸（DBS）的用量对TiO2薄膜的表面形态和微观结构的影响。 进而对合成的TiO2薄膜的光催化活性、光致亲水性能及实际环境中的自清洁效果进行了测试评价。 随着表面活性剂DBS用量的增加,微乳液中的分散质点尺寸减小,但热陈化后所获得的TiO2粒子表现出凝集现象。 在DBS用量为0及58 mg/L时,所获得薄膜表面较为平整,由15~20 nm大小的TiO2粒子组成。 这些薄膜在无紫外光照射时,水接触角增大的速度较慢,并且在紫外光照射下能迅速恢复其超亲水性能。 将薄膜置于室外25 d后其表面无灰尘粘结,水接触角由原来的0°增大至14°~18°。 当DBS用量为580 mg/L以上时,薄膜表面起伏不平,粗糙度过大,对应TiO2薄膜光致亲水性能较差,室外放置25 d后,水接触角由原来的0°增大至46°~48°。     

场发射显示

本文介绍了场发射平板显示的基本结构、工作原理、场发射冷阴极的制做方法以及与其有关的若干问题，最后介绍了场发射显示的现状和发展动态。     

分子束外延技术

分子束外延(简称 MBE)设备是一种控制晶体生长的装置。现在,用 MBE 技术可以制备在自然界不存在的某些晶体。目前研究时采用该技术最多的材料是砷化镓(GaAs)、砷化铝(GaAl)和它们的混晶镓铝砷(GaAlAs)。在用 MBE 技术研究的材料中它们约占70%,其余的30%为硅(Si)、砷化铟(InAs)、铟镓砷(InGaAs)、碳化硅(SiC)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、碲镉汞(CdHgTe)等材料.     

MOCVD生长技术

什么叫 MOCVD在最近4～5年迅速发展起来的Ⅲ—Ⅴ族半导体的制备技术中。人们议论最多的是MOCVD。但是人们对它的称呼还不统一,概括起来有四种叫法,除了上述一种外,还有三种叫法被广泛地使用。MO 和 OM 是 Meial-organic 和 Organo-metallic 的缩写。在其后面附加上 CVD。那么前者就成为加金属的有机化学沉积技术,后者变为使用有机金属的化学沉积技术,就后半部的 CVD、VPE 而言,CVD 表示     

反式-二硝基-二苯并-18-冠醚-6的合成及结构测定

本文对二苯并-18-冠醚-6进行硝化,然后将产物与钾盐反应,生成了二硝基-二苯并-18-冠醚-6-硫氰化钾一水络合物。用元素分析、红外光谱及X光衍射法测定了结构。     

五甲基环戊二烯的合成与光谱特征

五甲基环戊二烯C₅(CH₃)₅H,在金属有机化学中是一重要配位体,它和d、f过渡金属生成的夹心和半夹心化合物,大多数有很好的催化活性。η⁵-C₅(CH₃)₅又是很好的NMR探针,它的金属有机化合物易结晶,这些对于研究这类化合物的结构是极有利的。