半导体技术的发展趋势和研究重点

本文介绍了一些主要半导体技术的目前水平，今后的发展趋势和正在进行的主要研究，还指出，发展半导体技术要靠两个力量，牵引力－－用户的需求和推动力－－周边技术，并叙述了发展半导体技术的可能性和必要性。     

国外半导体研制现状和开发课题

众所周知,半导体、计算机和信息通信构成了当代电子学的三大支柱。其中,半导体起着举足轻重的作用。 自集成电路出现以来,约每隔五年其集成规模由小规模分别达到了中规模、大规模和超大规模水平。尤其是,自1970年1K大规模出现以来其集成规模每一年约翻一番。这种发展速度也是前所未有的。从集成电路的发展可以看出,半导体在小功率方面,由晶体管分立器件向材料器件一体化的集成电路,进而向分系统的大规模,今后继续向硬件、软件一体化的超大规模方向发展。 随着微波通讯在民用化方面的发展,应用范围只限于军事方面的那些半导体微波器件更加受到重视。在此,所用材料大体以砷化镓为     

南朝鲜半导体技术考察概况

河北电子技术考察团在毕克允团长的带领下于1990年8月上旬访问了南朝鲜“三星”、“金星”两个集团公司及其半导体分部,参观了有关超大规模集成电路研究单位和生产工厂,与有关专家和科技人员进行了技术座谈,探索双方在半导体材料、器件和集成电路研究开发等方面进行合作的可能性,签署了技术合作的意向书。本文仅介绍“三星”、“金星”两大集团公司在半导体技术方面的发展概况,并分析其高速发展半导体产业的主要经验及值得借鉴的东西。     

日本光技术共同研究所研制成计算机控制的GaAs单晶制备技术

<正> 最近,日本光技术共同研究所制备成用计算机自动制备优质大圆片光电集成电路用的GaAs衬底材料。当前制备GaAs单晶常用的方法是液封直拉法,即将液体状GaAs熔液倒入坩锅里,上面用其它液体覆盖成层状,在高压下使籽晶生长成单晶。这种制备工艺复杂,由熟练工的手工操作才能制备,因此容易导致缺陷。该所用计算机最佳地确定熔液和坩埚壁之间的温差,并根据熔解时的热、压力变化等条     

砷化镓场效应管超高速逻辑电路

综述了砷化镓场效应管超高速逻辑电路的国外概况。说明了发展砷化镓场效应管超高速逻辑电路的必要性和可能性。介绍了所用的器件结构、电路形式、电路的水平动向及发展这种电路所需的技术。指出了直接耦合场效应管逻辑无论在超高速还是在大规模方面均有发展前途。     

晶体管的新进展与发展趋势

1947年晶体管的发明,具有划时代的历史意义,它带来了电子学的革命。1958年集晶体管技术的集成电路问世,1968年硅大规模集成电路实现产业化大生产,随后计算机的迅猛发展和应用普及,标志着电子技术微电子时代,通信技术中大量采用半导体大功率晶体管,使计算机和通信技术进入相互依赖的C＆C时代。     

半导体柔性制造技术

半导体柔性制造技术电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）金圣东东欧剧变，苏联解体，此极对峙格局瓦解，持续半个世纪的冷战时代终告结束。今后，爆发全球性世界大战的可能性变小，随之而来的是频繁引发的各种局部战争。在冷战时期长期被掩盖的一些国家或地区原...     

半导体技术的发展趋势和研究重点

本文介绍了一些主要半导体技术的目前水平、今后的发展趋势和正在进行的主要研究。还指出,发展半导体技术要靠两个力量:牵引力——用户的需求和推动力——周边技术,并叙述了发展半导体技术的可能性和必要性。