推动TD—SCDMA产业化进程系列访谈之三：老牌电信设备商的抉择

在爱立信的版图里，中国市场至关重要，而中国即将启动的3G市场是包括爱立信在内的所有通信设备制造商的又一次重要机会。 在此次中国移动的TD项目招标中，爱立信榜上有名，其原因是爱立信拥有完整的TD产品线，而爱立信同时强调，以往通过与全球最大的移动运营商合作形成的成功经验将转化为独特的3G竞争力服务于中国市场。 中国移动的TD招标还在进行中，爱立信推动TD—SCDMA产业进程的工作仍在继续，不久之后，业界将清楚地看到，爱立信如何将自身的优势融入中国的TD网络建设。[编者按]     

四川近代主要地震

据四川地震方面的资料显示，20世纪以来，四川发生了多次大地震，以下是这些地震的时间、震级、地点（不完全统计）：     

美国耳机也发烧

耳放发烧友在欧美是活跃群体，和其它群体不一样，这个群体大都是些喜欢便携式音响的年轻人。有一个叫Head-Fi的英文网站，它的访问者来自欧美国家，这个网站有6万多会员，这个数字对于中国的网站来说不算多，但在欧美就很可观。会员把它作为生活中一部分，大家在上面交流玩音响的心得和生活，许多人因此而成为很好的朋友。这些网友都是耳机和耳放的忠实追随者，许多人都有极品的耳机和耳放器材，在耳机圈内具有足够的权威性。     

2,2,6,6-四甲基哌啶氧铵盐与吩噻嗪类化合物单电子转移反应动力学——Marcus理论的应用

2 ,2 ,6 ,6 四甲基哌啶氧铵盐 ( 1a ,1b)与吩噻嗪类化合物 ( 2a～ 2g)迅速反应 ,生成相应的氮氧自由基 ( 3a ,3b)和吩噻嗪类化合物的正离子自由基 ( 4a～ 4g) .通过EPR和NMR的谱线增宽效应 ,测定了乙腈中 1和 3以及 2和 4之间的电子自交换反应速率常数 ,应用Marcus理论研究了 1和 2之间的反应动力学     

基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合

对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,键合界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接键合的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.     

中国铁塔积极打造数字塔 助力“智慧冬奥”

北京2022年冬奥会和冬残奥会(以下简称北京冬奥会)精彩纷呈,激烈的赛事比拼让人目不暇接,与此同时,冬奥场馆内科技含量十足的智慧应用也格外亮眼。众所周知,高清直播、智能驾驶、无人零售等科技应用都得依托无处不在的高速移动宽带网络支撑。     

14nm会是硅芯片的尽头？

尽管英特尔依然乐观地预测将于2015年之前推出8nm制程工艺的芯片,但人们还是怀疑14nm可能将成为硅芯片尺寸的最终尽头。     

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究

利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN／GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED）,研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。     

主管部门关注什么

曹建明：推进检察信息化具有重要的战略意义 6月23日上午,最高人民检察院党组召开会议,听取高检院信息化领导小组关于检察信息化应用软件问题的专题调研报告和《2009-2013年全国检察信息化发展规划纲要》及说明。高检院党组书记、检察长曹建明出席会议并讲话。     

“推迟门”——美国整转那点事

从2006年12月31日推迟到2009年2月17日,再到奥巴马时代的2009年6月12日,美国地面数字电视转换的历程也算是多灾多难,但是谁又能保证这是最后一次推延呢？