基于哈希表的高效存储器内建自修复方法

 现有存储器内建自修复方法要么遍历式地址比较效率低,要么并行地址比较功耗高,都不适用于大故障数存储器.对此,本文提出一种高效的存储器内建自修复方法,该方法对占故障主体的单元故障地址以哈希表形式进行存储,以利用哈希表的快速搜索特性提升地址比较效率.本文方法修复后的存储器在1个时钟周期内即可完成地址比较,修复后存储器性能不受任何影响,与目前广泛采用的基于CAM的方法处于同一水平,但功耗方面却具有明显优势.计算机模拟实验表明,对于512×512×8bits的存储器在同等冗余开销的情况下本文方法修复率相对于ESP方法平均提高了32.25%.     

A radiation-hardened SOl-based FPGA

A radiation-hardened SRAM-based field programmable gate array VS1000 is designed and fabricated with a 0.5μm partial-depletion silicon-on-insulator logic process at the CETC 58th Institute.The new logic cell （LC）,with a multi-mode based on 3-input look-up-table（LUT）,increases logic density about 12%compared to a traditional 4-input LUT.The logic block（LB）,consisting of 2 LCs,can be used in two functional modes:LUT mode and distributed read access memory mode.The hierarchical routing channel block and switch block can significantly improve the flexibility and routability of the routing resource.The VS1000 uses a CQFP208 package and contains 392 reconfigurable LCs,112 reconfigurable user I/Os and IEEE 1149.1 compatible with boundary-scan logic for testing and programming.The function test results indicate that the hardware and software cooperate successfully and the VS1000 works correctly.Moreover,the radiation test results indicate that the VS1000 chip has total dose tolerance of 100 krad（Si）,a dose rate survivability of 1.5×10¹¹rad（Si）/s and a neutron fluence immunity of 1×10¹⁴ n/cm².     

液氮喷淋流态化速冻系统及冷冻性能研究

液氮喷淋流态化速冻新系统是以液氮为冷源,结合液氮喷淋预冻和流态化速冻两种冻结方法于一体的食品速冻装置。本文建立了基于新系统的食品冷冻过程的焓法数学模型,计算了黄瓜片在不同冻结条件下的降温过程和冷冻时间,同时对冻品质量进行了分析。     

辐射加固SOI的SRAM基FPGA中IO模块阵列的设计与实现

本文中我们提出了一个用于辐射加固的SRAM基FPGA VS100的输入输出模块阵列,该FPGA用0.5微米部分耗尽SOI工艺设计,在中电集团58所流片。与FPGA的特性一致,每一个IO单元都由布线资源和两个IOC组成,IOC包括信号通路电路,可编程输入/输出驱动器和ESD保护网络组成。IO模块能用于不同的工作模式时,边界扫描电路既可以插入在输入输出数据路径电路和驱动器之间,也可以作为透明电路。可编程IO驱动器使IO模块能够用于TTL和CMOS电平标准。布线资源使得IO模块和内部逻辑之间的连接更加灵活和方便。辐射加固设计,包括A型体接触晶体管,H型体接触晶体管和特殊的D触发器的设计提高了抗辐射性能。ESD保护网络为端口上的高脉冲提供了放电路径,防止大电流损坏内部逻辑。这些设计方法可以适用于不同大小和结构的FPGA设计。IO单元阵列的功能和性能经过了功能测试和辐射测试的考验,辐照实验结果表明,抗总剂量水平超过100Krad(Si), 抗瞬态剂量率水平超过1.510¹¹rad(Si)/s,抗中子注入量水平达到110¹⁴ n/cm²。     

基于SOI的抗辐射加固FPGA芯片

介绍抗辐射VS1000 FPGA芯片架构及其设计实现。改进的基于3输入查找表的多模式逻辑单元,与传统的基于4输入查找表相比,可以提高约12%的逻辑利用率。逻辑模块由两个逻辑单元组成,可以被配置成两种工作模式：LUT模式和分布式RAM模式。新颖的层次化布线通道模块和开关模块可以极大的提高布线资源的布通率。VS1000芯片包括392个可编程逻辑单元,112个用户IO以及与IEEE 1149.1兼容的边界扫描逻辑,采用0.5 um部分耗尽绝缘体上硅CMOS工艺全定制设计并流片。功能测试结果表明, 芯片软硬件能够成功配合且实现用户特定功能。抗辐照实验结果表明,抗总剂量水平超过100Krad(Si), 抗瞬态剂量率水平超过1.510¹¹rad(Si)/s,抗中子注入量水平达到110¹⁴ n/cm²。