高吞吐率、低能耗的SHA-1加密算法的硬件实现

安全散列算法被广泛应用于数据完整性验证、数字签名等领域,目前最常用的是SHA-1算法.为了满足实际应用对SHA-1计算速度和能耗的要求,提出了一种新的硬件实现方法,通过改变迭代结构,一次执行两轮操作,将80轮操作简化为40轮,进而大幅度提高SHA-1的吞吐率,并降低能耗.采用UMC0.25μm工艺实现该电路,相比于传统的实现方法,最大吞吐率提高了31%,能耗降低了20%.     

GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:通过优化p型层的外延生长条件,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度,有利于提高LED器件特别是高In组分绿光LED器件在同等注入电流条件下的发光功率.     

自由软件R及其在化学中的应用

论述了在科学研究领域中推广自由软件的重要性,并就其中的典型代表———统计处理软件R在化学领域中的应用列举了三个实例:分子动力学数据的统计分析、物理化学实验数据处理及碳纳米管分子模型的构建,给出了详细操作步骤。除文中列举的实例外,R还可被应用于化学模式识别、图形制作等领域,是化学工作者处理实际问题的一大利器。     

不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性

利用金属有机化合物气相外延技术研究了Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同Al Ga N层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄Al Ga N隔离层的结构表现出较好的器件特性.栅长为1μm的器件获得了6 5 0 m A/ m m的最大饱和电流密度和10 0 m S/ mm的最大跨导.     

T′算法在域GF(2)上的性能研究

代数攻击算法XSL是域GF(2)上求解大规模的多元多项式方程组的有效算法,分析发现XSL中的T′算法不能达到其希望的结束条件Free=T或Free=T-1。给出T′算法的一个真实结束条件和2个变量选择原则,并在原T′算法的基础上增加概率算法和以较大概率估计变量取值。结果表明改进后的T′算法可以简化方程组求解。     

不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光

研究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同Mg掺杂浓度的GaN样品薄膜,经不同温度退火处理后的发光特性.实验发现随着退火温度的升高,不同掺杂浓度的Mg∶GaN材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小,经850℃退火后蓝带集中在2.92eV附近.利用Mg∶GaN材料内部补偿模型对此现象进行了分析,同时认为对于掺杂浓度较高的样品,850℃为最佳的退火温度.     

不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光

研究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同Mg掺杂浓度的GaN样品薄膜,经不同温度退火处理后的发光特性.实验发现随着退火温度的升高,不同掺杂浓度的Mg∶GaN材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小,经850℃退火后蓝带集中在2.92eV附近.利用Mg∶GaN材料内部补偿模型对此现象进行了分析,同时认为对于掺杂浓度较高的样品,850℃为最佳的退火温度.     

基于感知哈希和自适应搜索的通用对象检测

针对数字图像中对象检测问题,提出一种基于感知 哈希和搜索策略的通用 对象检测算法,提取图像中有可能包含对象的子区域并以矩形的形式输出。算法首先对输 入图像进行分割,并计算该图像的显著度信息;其次根据图像每个子区域显著度信息,自适 应 地确定搜索策略的起始子区域;最终利用选择性搜索策略,实现图像中通用对象检测。利用 选择性搜索策略检测通用对象时,引入感知哈希算法实现相邻子区域的相似度计算, 在保证准确度的基础上简化算法复杂度。实验结果显示,本文算法具有良好的图像对象检测 准确度。     

ONIOM 法研究分子筛骨架对噻吩裂解反应的影响

 采用 ONIOM 法研究了分子筛上噻吩的裂解反应, 考察了分子筛骨架环境对反应中各物种的几何构型、电荷分布以及整个反应的影响. 比较了 B3LYP 和 M05-2X 泛函的计算结果. 结果表明, 分子筛骨架可很好地稳定反应带电中间体, 促进了吸附分子的电荷分离, 从而使反应活化能降低. 与现在应用广泛的 B3LYP 泛函相比, 最近开发的 M05-2X 泛函能够更准确地描述反应物分子和分子筛骨架的相互作用, 计算得到的电荷分布和活化能也更为合理. 整个反应的决速步是亲电取代反应, 其活化能为 122.4 kJ/mol, 随后的 C–S 键解离活化能较低, 为 75.5 kJ/mol.     

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

尽管GaN基蓝绿光发光二极管（LED）已进入大规模商品化阶段，但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题.同时，蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为25nm以上.通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量，获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱LED外延片.由此制作的LED器件在0—120?mA的注入电流下，发光波长变化小于1nm.在20mA的正向电流下，其光谱半高全宽只有18nm，且随注入电流变化较小. 关键词： GaN 发光二极管 波长稳定性