砷化镓衬底与MESFET中深能级研究

用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系 ,这些深能级影响着器件的性能     

半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究

用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中存在着相似的深能级 ,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器件中光敏现象的方法。     

非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱

研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱,在０．４－０．７０９ｅＶ范围发现了一个光响应响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰,其中０．４６、０．４９、０．５６和０．６９ｅＶ峰的起始阈值分别为０．４４、０．４７、０．５１和０．６７ｅＶ。本文讨论了Ｍ１带的起源,提出了０．４４、０．４７和０．５１ｅＶ光电阈值与铜受主,ＥＬ３和氧施主     

基于弹载存储系统的高速固态数据记录器设计

为了对飞行体发射过程中的参数进行实时存储,提出了基于FPGA的弹载数据记录器电路设计及控制逻辑设计.应高速数据存储速度的要求,对FLASH在不同编程方式下的写入速度进行了深入分析,从而革新了FLASH控制逻辑设计.该记录器采用FPGA实现接口控制、FLASH逻辑写入、擦除、无效块校验等,设计中,FLASH采用高效的“区”地址管理方法,从而为满足高速数据存储提出了合理的解决方案.实践证明,该记录器对飞行体发射过程中的参数进行了实时、可靠地存储,满足工程实际需求.     

半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究

用波长为７００～３５００ｍｍ的光电流测试系统研究了ＳＩ－ＧａＡｓ村谗及其ＭＥＳＦＥＴ器件中的深能级。结果显示在ＳＩ－ＧａＡｓ衬底及其ＭＥＳＦＥＴ器件中存在着相似的深能级,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器的光敏现象的方法。