基于铌酸锂薄膜的Y波导集成调制器设计

近年来,基于薄膜铌酸锂（TFLN）平台的高性能电光调制器以其小体积、低能量损耗等特点受到广泛关注。本文提出了一种新的具有垂直电极结构的Y波导铌酸锂薄膜电光调制器。研究了调制器的半波电压与缓冲层厚度之间的关系,优化了Y波导的设计参数,最后设计得到插入损耗<5 dB, 半波电压<1.5 V的高性能调制器。本文不仅为基于TFLN平台的小型化波导的设计和实现提供了思路,而且为制造高性能和多功能的电光调制器提供了实验依据。     

电感耦合等离子体质谱法测定硼同位素丰度

以硼同位素标准物质NIST SRM 951配制标准溶液,在优化的仪器操作条件下对电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)测定的硼同位素质量进行校正,求出校正因子,确定了样品的线性浓度范围,选定样品浓度为1.1 mg/L。在同样的仪器条件下首先测定了硼标准物质的硼同位素丰度比,测量误差为0.2%,然后测定了硼同位素浓缩过程中硼样品的硼同位素丰度比,测定结果的相对标准偏差为1.1%。此外考察了仪器的稳定性。实验结果表明本方法“记忆效应”小,结果可靠,测量精度高。     

电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定稀土钢中微量镧、铈

采用稀王水溶解样品,选择La 408.672 nm、Ce 456.236 nm为分析线,建立了电感耦合等离子体发射光谱(IC P-O ES)法测定稀土钢中微量镧、铈的方法.结果表明,各元素校准曲线线性良好,相关系数可达0.99999;方法测定范围为0.0001％ ～0.10％.检出限为镧0.00002％,铈0.0000...     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定稀土钢中微量镧、铈

采用稀王水溶解样品,选择La408.672 nm、Ce456.236nm为分析线,建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-OES)测定稀土钢中微量镧、铈的方法。结果表明,各元素校准曲线线性良好,相关系数可达0.99999;方法测定范围为：0.0001%～0.10%。检出限为：镧0.00002%,铈0.00006%。按照实验方法测定标样中镧、铈,结果的相对标准偏差RSD(n=8)为2.18%、1.68%。     

铌酸锂薄膜调制器的研究进展

铌酸锂薄膜调制器具有体积小、带宽高、半波电压低的优点,在光纤通讯和光纤传感领域具有重要应用价值,是近年来的研究热点。本文梳理了铌酸锂薄膜调制器的波导结构、耦合结构、电极结构的研究进展,总结了LN薄膜波导的制备工艺,并深入分析了不同结构调制器的性能。基于SOI和LNOI结构,薄膜调制器实现了V_πL<2 V·cm,双锥形耦合方案实现了耦合损耗<0.5 dB/facet,行波电极结构实现了调制带宽>100 GHz。铌酸锂薄膜调制器的性能在大多数方面优于目前商用铌酸锂调制器,随着波导工艺进一步提升,将成为铌酸锂调制器的热门方案。最后对铌酸锂薄膜调制器的发展趋势和应用前景进行了展望。