聚L-白氨酸-碳纳米管修饰电极同时检测对苯二酚和邻苯二酚

用Nafion将单壁碳纳米管(SWCNT)固定到玻碳电极(GCE)上,再利用电化学聚合方法将L-白氨酸(L-LEU)聚合到SWCNT/GCE上,制备得到poly L-LEU/SWCNT/GCE修饰电极。采用循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)和电化学交流阻抗法(EIS)研究了对苯二酚(HQ)、邻苯二酚(CC)共存时,二者在修饰电极上的电化学行为。结果表明:此修饰电极对HQ和CC有很好的电催化和分离作用。二者在修饰电极上的氧化还原峰电流与GCE相比显著增强,HQ和CC的氧化峰电位差和还原峰电位差分别为124 mV和131 mV。HQ和CC的检测线性范围分别为2.0×10-7~1.0×10-4、5.0×10-7~1.0×10-4mol/L。检出限分别为8.0×10-8、1.0×10-7mol/L。制备的修饰电极重现性、稳定性良好。在模拟废水中采用该修饰电极对HQ和CC进行检测,结果满意。     

一种电流检测PFM型LED驱动IC的设计

基于开关电源系统基本理论,采用电流检测脉频调制(PFM)模式,设计了一种新型大功率LED照明恒流驱动芯片.利用0.5μm CMOS工艺模型仿真,结果表明,该芯片具有高电源抑制比、2.5～400V宽输入电压范围、10 kHz～2.5 MHz可调工作频率和多种保护功能,LED驱动电流范围为几mA到1A,可驱动1个到几百个LED灯,特别适合大功率恒流驱动.     

SiO_2薄膜致密性的表征

论述了表征SiO2薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法,分析了它们各自的特点。制备了不同衬底和不同工艺的三个热氧化SiO2薄膜样品,利用红外光谱法和折射率法对样品进行了对比测试。结果表明,采用红外光谱法表征SiO2薄膜的致密性时,主特征吸收峰频率不仅与薄膜致密性相关,还与样品的厚度和衬底等因素有关;而折射率法受这些因素的影响较小,是表征SiO2薄膜致密性较为适用的方法。     

一种电流模式PFM型LED驱动IC的设计

基于开关电源的基本理论,给出了一种电流模式PFM型LED驱动IC的设计方法.该方法采用0.5μm CMOS 工艺进行版图设计,并通过Candence进行电路仿真,结果证明,该芯片具有较高的电压抑制比和较宽输入电压范围(2.5～400V),且工作频率可调(10kHz～2.5MHz),并具有过流保护功能,特别适合大功率LED的恒流驱动.     

PS/Ag球壳阵列中高Q值等离激元腔模式的激发效率研究

从理论上系统地研究了聚苯乙烯(PS)/Ag球壳阵列中银球壳的形状(球形和椭球形)和完整度(侧壁有无开口)对多阶窄线宽等离激元腔模式激发效率的影响。理论上发现，在完整的球形银壳层阵列中，基于电的等离激元腔模式(TM₂和TM₃)能够被高效激发，而基于磁的等离激元腔模式(TE₁)激发效率则非常低。通过单独地将银球壳改变为椭球形状或单独在银球壳侧壁赤道上对称构建6个小开口均能有效增大TE₁模式的激发效率。尤其是，存在一个最佳的开口(20°)可使得TE₁模式的激发效率达到最大。理论上进一步发现，TM₂、TE₁和TM₃等离激元腔模式在非完整(侧壁开口约为20°)的椭球形银壳层阵列结构中均能够同时被高效激发。在实验上，利用自支撑技术成功地制备了侧壁带有开口(约为20°)的椭球形银壳层阵列结构，实验测试的透射光谱与理论光谱非常吻合，很好地证实了理论预测结果的正确性。