电源管理芯片过温保护电路的分析与设计

保护电路是电源管理芯片的一个重要环节,研究一种高可靠的保护电路是非常重要的。为了保证电源管理芯片在复杂的环境中可以正常使用,本文主要对其中的保护电路进行了详细的分析,并设计出过温保护电路。根据可重用性的设计方法,在CSMCO．5μm工艺下,利用Cadence spectreI具对过温保护电路进行前端仿真验证。在不同电源电压下,对保护功能开启时的温度、滞迟范围、滞迟开启温度都进行了仿真测试。通过滞迟模块既有效抑制了芯片温度的升高,又避免频繁对功率管的关断。     

基于三核锰(Ⅲ)结构单元的二维配位聚合物的合成、结构和磁性研究

新合成了钠离子桥联三核锰结构单元的配位聚合物{[NaMnⅢ3O(sao)3(tfbdc)(H2O)4].0.5H2O.2CH3CH2OH}n(1)(H2tfbdc=2,3,5,6-四氟对苯二甲酸;H2sao=水杨醛肟),对其进行了元素分析、红外光谱、热重分析和单晶X-射线衍射结构分析。配合物属于三斜晶系,空间群P1。该配合物是一个由三核锰结构单元[Mn3O]构成的、钠离子和四氟对苯二甲酸桥联的二维配位聚合物。磁学性质研究表明,该配合物中锰离子之间存在着反铁磁性耦合作用。     

随机Volterra-Levin方程解的存在唯一性与稳定性

应用逐次逼近法研究了随机Volterra—Levin方程解的存在性,并结合H61der不等式证明了该方程解的唯一性与稳定性．最后用2个例子说明所获结果的有效性,同时表明条件“存在常数m〉0,使得∫-L^0p（s）ds=m”和“对所有的t≥0,∫0^1 e^4amsσ^2（t）ds/e^4amt都有界”是对Luo提出的条件进行了改进．     

带马尔科夫跳的脉冲随机时滞偏微分方程的稳定性

应用不动点定理讨论了带马尔科夫跳的脉冲随机时滞偏微分方程的适定性解的渐近稳定性，得到一些条件确保了所证结论．由于考虑了马尔科夫跳，因此文中所得的结论推广了Sakthivel等作者所得到的结论．     

高性能带隙基准电压源的设计

本文基于带隙基准电压源的工作原理,实现了一种利用PATA电流产生基准电压的高性能带隙基准源。该带隙基准源温度特性良好,具有较高精度的输出电压,所以使电源管理芯片的工作电压具有更小的温度系数,使芯片工作更稳定。利用Candance仿真器,基于CSMCO．5umCMOSI艺对电路进行仿真,对基准源进行仿真与分析。仿真结果表明,当R2=316时,基准电压有最好的温度特性;并运用cadence软件中的“Calculator”工具计算出在该温度时,带隙基准电压源有最小的温漂系数。     

带泊松跳的随机脉冲时滞偏微分方程的指数稳定性(英文)

带泊松跳的随机脉冲系统的适定性解的稳定性问题至今尚未得到解决.基于不动点理论,研究了随机脉冲时滞偏微分方程的适定性解的稳定性,得到了一些确保所证结论的充分条件.由于考虑了脉冲和泊松跳,文中的结论推广了Luo所得到的结论.     

基于三核锰(Ⅲ)结构单元的二维配位聚合物的合成、结构和磁性研究

新合成了钠离子桥联三核锰结构单元的配位聚合物{[NaMn₃^ⅢO(sao)₃(tfbdc)(H₂O)₄]·0.5H₂O·2CH₃CH₂OH}_n(1) (H₂tfbdc=2, 3, 5, 6-四氟对苯二甲酸;H₂sao=水杨醛肟),对其进行了元素分析、红外光谱、热重分析和单晶X-射线衍射结构分析。配合物属于三斜晶系, 空间群P1.该配合物是一个由三核锰结构单元[Mn₃O]构成的、钠离子和四氟对苯二甲酸桥联的二维配位聚合物。磁学性质研究表明, 该配合物中锰离子之间存在着反铁磁性耦合作用。