金属氧化物气敏半导体表面受感性能的研究

本文提出了用化学反应动力学理论研究半导体统计分布的方法，并用此方法对在气敏材料表面可能产生吸附氧离子Ｏ２＾－，Ｏ＾－的几种历程进行了研究，导出了浓度比［Ｏ２＾－］／［Ｏ＾－］随温度的升高而下降的事实，通过对吸附氧离子麦德隆势的计算，得出了在完整离子晶体表面上不可能产生氧离子Ｏ＾－的结构，并讨论了可能产生离子Ｏ＾－的途径。