军用内调式四象限精密乘法器电路的设计

介绍内调式四象限精密乘法器电路的线路设计、版图设计、工艺设计及关键技术。着重介绍线路设计和版图设计的特点及四象限乘法器的功能。     

基于第四层交换技术的负载均衡

本文介绍了第四层交换技术的概念,技术原理以及如何使用第四层交换技术实现远程教育系统中的应用服务器负载均衡。     

Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction

Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV－Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms.     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

利用激光感应瞬态光栅研究超快弛豫现象

文中采用三能级速率方程和 Maxwell 方程理论导出可调谐激光感应瞬态光栅在第 i 能级上的衍射效率η_i(Δω)与能级寿命τ_i 的关系式,并对衍射线型η_i(Δω)进行讨论和分析。同时报导了我们对孔雀绿(Malachite Green)水溶液的纵向弛豫时间 T_1的实验测量结果。     

精密透镜的自动细磨技术

在非常重视生产成本的制造领域，任何一个能省时省钱的工艺都会受到欢迎。对精密光学元件制造业来说，这一点尤为重要。如果光学元件的生产成本进一步下降，它们的用途就会更加广泛。里弗莫尔的获奖项目OptiPro-AED(声射探测器)能使省时省钱的研磨工艺成为现实。     

利用非线性反射镜锁模激光器的动力学过程分析

本文报导了对基于一种新型非线性反射镜的被动锁模激光器的动力学过程进行的研究.结果指出,该锁模过程始终存在于一种动态平衡中.最后,文中给出了该锁模激光器的输出脉宽的具体表达式.     

JSP开发XML应用

JSP作为Java技术平台的一部分，使得开发平台无关的基于Web的应用变得快捷；XML在表示信息方面，具有易读、易处理和易生成的特点，被广泛地应用于信息交换，文章主要讲述了如何用JSP开发XML应用。