超导体MgB2中临界电流密度与磁场和温度之间的关系

用SQUID磁强计测量了在不同温度一直到5T的MgB2磁滞回线,确定了下临界磁场和样品的退磁因子.临界电流密度对磁场和温度的关系可以用一个简单的函数拟合.钉扎力密度符合Kramer标度律,但是峰值位置随温度移动.     

MOCVD制备过掺杂GaN基稀磁半导体微结构研究

应用MOCVD方法我们在c轴取向的蓝宝石衬底上生长出Fe掺杂和Mn掺杂GaN薄膜。通过改变前驱物的通入量,我们制备出不同掺杂浓度的样品。应用高分辨透射电镜,我们对样品的微结构进行了分析。对于Fe过掺杂GaN样品,我们发现了六角结构的Fe3N团簇的存在,并且Fe3N(0002)面平行于GaN(0002)面;对于Mn过掺杂GaN样品,我们发现了六角结构的Mn6N2.58相的存在,并且Mn6N2.58(0002)面平行于GaN(0002)面。同时,由于晶格中掺入了大量掺杂离子,GaN晶格取向遭到了破坏,导致了部分GaN(0002)面的倾斜。磁学测量表明均一相的Fe掺杂GaN显现铁磁性,而均一相Mn掺杂GaN没有铁磁性。由于铁磁性Fe单晶和Fe3N团簇的存在,相比于均一性Fe掺杂GaN,过掺杂GaN样品的磁性大幅度增强,而Mn过掺杂GaN样品显现出很弱的铁磁性,这有可能来源于Mn6N2.58相。     

MgB2超导块材的非线性磁弛豫性质的研究

在32－34K温度和0．5T初始磁场中，MgB2超导块材的磁弛豫性质通过剩余磁化强度M随时间t的变化进行了研究，在初始阶段，M－lnt明显偏离线性，磁通运动接近Zeldov时数模型，足够长的时间后，M-lnt呈现很好的线性，磁通运动符合Anderson-Kim模型。     

熔融织构块材和单晶YBa2Cu3O7在63～75K的磁弛豫性质

本文研究了熔融织构块材和单晶YBa2Cu3O7在液氮温区63～75K的磁弛豫性质.在此温区常数ωa是与温度相关的，平均有效结合能作为电流密度的函数和Zeldov模型一致.