一种n+/p+环接MOS电容的研制

电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛.为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现象,并提高MOS电容值的稳定性,提出了一种新型MOS电容的制作方法和连接结构.新结构是将传统MOS电容的一个n+电极更改为p+电极,这样可以使器件的输入电势极性更改前后都为栅氧电容,但在极性更替间,由于有耗尽层存在,电容仍会变小.将两个新结构MOS电容环接,即将其中一个电容的多晶硅层与另一个电容的阱相连接,并用金属连线引出电极,测试结果表明,与传统MOS电容相比,新型MOS电容提升了零电压附近突变区域电容最低值,减小了器件电流波动幅度,有利于提高器件的可靠性.     

基于古典密码学的密码生成器设计

随着互联网的发展,在用户享受互联网带来的方便、快捷的同时,也经常受到黑客和恶意攻击者的攻击,面临隐私泄露、财产安全的威胁。而其主要原因就是用户的账号和密码泄露或者被破解。如何设置一个容易记忆,而且安全度高的密码,成为现在用户的困扰。密码的记忆和密码强度有一定的冲突,密码强度越高,记忆越困难,密码强度过低,账户安全容易受到威胁。为了解决这个问题,我们设计了一款基于古典密码学的密码生成器。一串毫无规律的密码记忆起来是困难的,但是记忆一个根据账户联想起来的书名、歌曲名是很容易的。系统根据用户输入的六位密钥、doc文件的名字和用户希望得到的密码长度,生成一个密码安全性高,由数字、字母和字符组成的密码,以此来解决用户面临的困扰。