应用于PWM降压DC-DC变换器的高性能误差放大器

提出了一种应用于PWM降压型DC-DC变换器的高性能误差放大器。该误差放大器采用反馈结构,具有较大的动态范围,并可消除噪声影响,从而显著减小了DC-DC电源的纹波电压。另外,采用该误差放大器还有效地减小了电源启动时间。文中提出的误差放大器电路及PWM控制芯片的其他电路模块采用2.0μmBipolar工艺实现。仿真结果表明,误差放大器的开环和闭环增益分别为61dB和33dB,GBW为200MHz,SR为0.64V/μs。芯片测试结果表明,在输出电压为3.3V,负载电流为0.2A时,输出纹波电压的峰-峰值小于25mV。     

CMOS图像传感器内置电源模块的研究与设计

电源模块是CMOS图像传感器芯片的一个重要组成部分,其性能直接影响着芯片的功耗以及所拍摄画面的质量.文中从CMOS图像传感器的像素结构和列读出电路原理出发,提出了一种低功耗、可编程控制的电源模块设计思想,并采用0.18μm CMOS工艺完成了电路设计.Hspice仿真结果表明,电源模块在启动70ms后能够生成稳定、正确的电压,其平均功耗小于1mW.     

超薄导电泡棉的特性研究

从结构特点、主要性能参数等方面介绍了传统导电泡棉的局限性以及超薄导电泡棉的优势,通过实验验证了超薄导电泡棉具有很好的压缩性、回弹性、导电性、免掉屑等特点,符合电子产品轻薄化发展趋势,为硬件设计在解决有限结构空间内的电磁干扰问题提供了更多的选择。     

面向依赖关系的网格服务维护机制研究

在复杂的大规模分布式网格环境下,网格服务组件的维护是一个不容忽视的问题,不恰当的维护操作可能会带来不可预料的灾难.本文关注由服务间的依赖关系引起的网格维护期间系统可用性问题,提出了一种网格服务维护机制,针对网格服务组件提供了多种粒度(服务级,容器级和节点级)的维护.在使用了该机制后,网格管理员可以在运行时更安全地执行维护任务并保持较高的系统可用性.测试结果显示,我们提出的面向依赖关系的服务维护机制使得网格的管理变得更加自动和高效.     

TFT—LCD驱动芯片内置电荷泵频率及开关网络优化

引入了一种应用于TFT-LCD驱动芯片的内置正负倍压电荷泵结构.在对其动作原理进行分析的基础上,对该电荷泵进行了时钟频率及开关网络中开关尺寸的优化并得到了最优的升压效率及功率效率.基于0.18 μm高/中/低混合电压CMOS工艺的仿真结果表明,该优化方案是行之有效的:电路工作在最优时钟频率f=15 kHz时,可以使升压效率达到最大值(2 mA负载,升压效率最高达到86.7%);而开关网络采用最优的开关尺寸设置,可以使电荷泵的功率效率达到最高(2 mA负载,f=15 kHz, 功率效率经优化后达到83.6%).该电荷泵电路已被成功应用于一款TFT-LCD驱动芯片中.     

通信网络运维多维评估模型设计及应用

通信网络运行维护工作是电信运营商的一项基础性重要工作。当前,世界各运营商网络运维工作公开披露的信息相对较少,缺乏评估各运营商电信网络运维水平的有效模型。以平衡积分卡方法为基础,结合长期通信网络运维体系研究及工作实践,创新性地提出了通信网络运维多维评估模型,并应用该模型对国际大型电信运营商、创新型电信运营商、高增长型电信运营商3种不同类型的运营商进行对比分析,以期对国内运营商网络运维工作发展提供有效的评估和指引。     

低功耗IR-UWB接收机和LNA设计研究

在分析各种超宽带(UWB)接收机系统结构的基础上,提出了一种低功耗IR-UWB接收机结构.该结构基于非相干通信机制,使用自混频技术和脉冲宽度调制方式(PPM).在该结构中,低噪声放大器(LNA)的低功耗优化是系统低功耗实现的关键.综合分析各种宽带LNA结构,提出了一种低功耗LNA设计.该LNA采用65 nmCMOS标准...     

丰中子Ru奇A核能级结构的进一步研究

通过对重核2?52?Cf自发裂变产生的瞬发γ谱的高精度测量数据的分析,扩展了丰中子奇A核10?9,111Ru的高自旋态,对不同延迟符合矩阵的数据分析,得到了10?7,10?9,111,113Ru低激发态多个能级的寿命,发现10?9Ru核中的96?.4keV的能级为一寿命约为130?0ns的同质异能态.对10?9,111Ru转动带的转动惯量随转动频率变化的分析表明,在相邻偶偶核110?Ru中观测到的集体回弯现象确实起源于一对h11/?2?中子的角动量顺排.用粒子?转子模型对10?7,10?9,111,113Ru的集体带的部分能级及跃迁几率进行了计算,得到与实验较为满意的符合,指出在这几个核中的中子h11/?2?闯入带尼尔逊轨道的起源.     

一种基于控制PTAT电流的温度系数可调带隙基准源

设计了一种温度系数可调的带隙基准源,利用控制PTAT电流的大小产生具有不同温度系数的基准电压,仅采用两个双极型晶体管,具有较好的电源噪声抑制特性。与传统方法相比,简化了电路结构,减小了占用芯片面积,改善了版图设计的对称性。该电路在更宽的调节范围内,通过4位控制信号可实现16级的温度系数调节,同时通过设计专门电路提高了电源噪声抑制比。采用0.35μm CMOS工艺实现了该带隙基准源。仿真结果表明,基准电压的温度系数可在-1.76~+1.84 mV/℃范围内进行调节,低频时基准电压的PSRR达到-110 dB。     

应用于前端读出电路的片上LDO设计

为满足辐射探测器前端读出电路对模拟电路稳压器片上集成和快速瞬态时间响应的需求,设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的全片上集成LDO。采用大摆幅高增益放大器驱动输出功率管,增大了功率管栅极调节电压摆幅,减小了功率管尺寸和LDO压差电压。该放大器同时增大了LDO的环路增益和对功率管栅极的充放电电流,从而改善了瞬态响应性能。为了不牺牲环路增益带宽和芯片面积,并且保证LDO在整个负载电流区间内保持稳定,提出了一种负载电流分区频率补偿方法。仿真结果表明,在负载电容为200 nF,负载电流范围为0～200 mA时,设计的LDO相位裕度均大于53^o。在相同功率管尺寸情况下,采用大摆幅高增益放大器可以将LDO最大输出电流能力提高到两倍以上。当负载电流从10 mA跳变到200 mA时,LDO输出电压恢复时间小于6.5μs。设计的LDO电路面积为120μm×264μm,满载时电源效率为97.76%,最小压差电压为50 mV。